MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaP層を得ることができた。それに対し、2°オフ基板上ではシングルドメインのGaPを得ることは難しかった。2°オフ基板上でも限られた成長条件でGaPを得ることができたが、副格子の向きが4°オフ基板上の副格子の向きに対し90°回転していた。成長初期のGaPの形状を原子間力顕微鏡で調べた。
- 2011-05-12
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