Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
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概要
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MOVPE法によるサファイア基板上GaN成長において、GaN膜中にGaドットを埋め込むことにより、成長層の欠陥密度を低減することを検討した。初期GaN層上へのGa堆積量が多くなるにつれて, ドットサイズは大きくなり、密度は減少する傾向が見られた。再成長層の成長速度を速くすると、Gaドットの埋め込みが容易になり、結晶性および表面形態が良くなることがわかった。InGaNキャップ層のピット密度より評価した欠陥密度は、Gaドットを2度埋め込むことにより、埋め込まない場合の5×10^9/cm^2から2×10^7/cm^2まで減少した。また、XRCの測定から、再成長層の格子の傾きは小さいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
牧野 信也
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
-
牧野 信也
静岡大学工学部電気・電子工学科
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