MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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減圧MOCVD法によりグレーデッドバッファー層を用いて、GaAs基板上に高In組成0.57のInGaAs層を成長させた。基板はjust GaAs(100)基板、<111>A、又は、<111>BにオフしたGaAs(100)基板である。成長温度を450℃と低温にすることで、全ての上記基板上で鏡面の表面モフォロジーが得られた。断面TEM観察により、<111>AにオフしたGaAs(100)基板上に成長させたInGaAs層で1×10^7cm^-2の貫通転位密度を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-17
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
小林 佳津
静岡大学大学院
-
岩堀 英哲
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
小林 佳津
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
黒柳 直人
静岡大学工学部電気・電子工学科
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