Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOVPE法によるサファイア基板上GaN成長においてもGaN膜中にGaドットを埋め込むことにより、成長層の欠陥密度を低減することを検討した。初期GaN層上へのGa堆積最が多くなるにつれて、ドットサイズは大きくなり、密度は減少する傾向が見られた。再成長層の成長速度を速くすると、Gaドットの埋め込みが容易になり、結晶性および表面形態が良くなることがわかった。InGaNキャップ層のピット密度より評価した欠陥密度は、Gaドットを2度埋め込むことにより、埋め込まない場合の5×10^9/cm^2から2×10^7/cm^2まで減少した。また、XRCの測定から、再成長層の格子の傾きは小さいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
牧野 信也
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
-
牧野 信也
静岡大学工学部電気・電子工学科
関連論文
- 電流分割法を用いたディジタル・ビデオ信号駆動LED画像表示パネルの基礎研究
- 13)全固体ディジタルLED画像表示デバイスの基礎研究 : 混成ICを用いた64×64画素表示デバイスの試作(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 13)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素受像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
- MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
- MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
- Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術とインパクト
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
- MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
- MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
- 減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性
- MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造
- SC-7-3 MOCVD法によるSi基板上GaAs結晶成長
- MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
- MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
- MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
- LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
- LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
- LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
- MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- アモルファスシリコンの光誘起変化 - レーザー脱離飛行時間質量分析による解析 -
- CS-9-3 電源用GaN on Si電子デバイスの開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- CT-1-6 GaN on Siパワーエレクトロニクスの開発状況と展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割
- 低次元系半導体量子構造
- 4)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 跳躍走査方式を用いた全固体ディジタル画像システムにおける情報処理法のコンピュータ・シミュレーション
- 12)跳躍走査方式を用いた64×64画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 12)跳躍走査方式を用いた全固体ディジタルテレビジョンの32×32画素撮像回路の研究(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
- 14-2 跳躍走査を用いた64×64画素全固体ディジタル・テレビジョンの基礎的設計と將来の展望
- 7)固体ディジタルテレビジョン用跳躍走査方式による冗長度削減の実験について((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
- ホ-ルド型画像表示における動きぼけ妨害
- H2バイパス・フロ-を用いたGaP上へのZnSヘテロ成長(技術談話室)
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (シリコン材料・デバイス)
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子部品・材料)
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン (電子デバイス)
- サマリー・アブストラクト
- ZnSコンパウンドソースを用いた分子線エピタキシー成長ZnS薄膜の表面観察
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- サハラソーラーブリーダー計画 : 宇宙船地球号の持続的発展に向けたドン・キホーテ的研究
- 窒化物薄膜やZnO薄膜など次世代太陽電池に期待されるマテリアル (特集 太陽電池の効率を上げる,信頼性を高めるマテリアルの最新トレンド)
- MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
- MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般)
- カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係
- MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性