角谷 正友 | 静岡大学工学部:科学技術振興機構

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• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 来正 洋一

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柳原 将貴

  サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 高野 秦

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 藤岡 洋

  東京大学大学院工学系研究科

• 田中 勝治

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 勅使川原 秀多

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 西村 元気

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 奥野 浩司

  静岡大学工学部

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 吉村 克彦

  静岡大学工学部

• 白川 泰史

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 柔原 憲弘

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 藤岡 洋

  東京大学大学院

• 牧野 信也

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 石田 洋一

  東京工業大学 応用セラミックス研究所

• 鯉沼 秀臣

  東工大工材研

• 鯉沼 秀臣

  東京大学工学部工業化学科

• 石田 洋一

  東京大学工学部

• 鯉沼 秀臣

  東工大応セラ研

• 鯉沼 秀臣

  東京工業大学工業材料研究所

• 鯉沼 秀臣

  Tokyo Institute Of Technology

• 鯉沼 秀臣

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 服部 亮

  「応用物理」編集委員会

• 柳原 将貴

  サンケイ電気(株)研究所

• 大塚 康二

  サンケイ電気(株)研究所

• 今井 哲二

  明星大学情報学部電子情報工学科

• 大西 剛

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 大西 剛

  米国ローレンスバークレー国立研究所

• 高橋 琢二

  東大

• 高野 泰

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 石原 剛

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 福家 俊郎

  静岡大学大学院

• 四田 泰代

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 大塚 廉二

  サンケン電気(株)研究所

• 佐々木 裕

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 鯉沼 秀臣

  東京大学新領域創成科学研究科

• 伊藤 孝浩

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 石田 洋一

  生研

• 鯉沼 秀臣

  東京工大 応用セラミックス研

• 鯉沼 秀臣

  (独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター

• 鯉沼 秀臣

  東京工業大学

• 大西 剛

  東京大学物性研究所

• 伊藤 貴司

  「応用物理」編集委員会

• 大西 剛

  Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• 高橋 琢二

  「応用物理」編集委員会

• 鯉沼 秀臣

  東工大フロンティア共同研究センター

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著作論文

• MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
• MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
• LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
• 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
• MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• アモルファスシリコンの光誘起変化 - レーザー脱離飛行時間質量分析による解析 -
• MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
• GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割
• 低次元系半導体量子構造
• サハラソーラーブリーダー計画 : 宇宙船地球号の持続的発展に向けたドン・キホーテ的研究
• 窒化物薄膜やZnO薄膜など次世代太陽電池に期待されるマテリアル (特集 太陽電池の効率を上げる,信頼性を高めるマテリアルの最新トレンド)

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