奥野 浩司 | 静岡大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学工学部の論文著者

関連著者

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 桑原 憲弘

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 奥野 浩司

  静岡大学工学部

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

著作論文

• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
• MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)

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