福家 俊郎 | 静岡大学大学院

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概要

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関連著者

• 福家 俊郎

  静岡大学工学部

• 高野 泰

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 福家 俊郎

  静岡大学大学院

• 高野 泰

  静岡大学工学部

• 梅澤 昌義

  静岡大学大学院

• 小林 佳津

  静岡大学大学院

• 高野 泰

  静岡大学大学院工学研究科

• 角谷 正友

  静岡大学工学部

• 伊藤 孝浩

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 伊藤 孝浩

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 角谷 正友

  「応用物理」編集委員会

• 角谷 正友

  静岡大学工学部:科学技術振興機構

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著作論文

• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割

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