GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
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概要
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MOVPE法によリGaN低温バッファ層を用いて6H-SiC (0001) Si面基板上にGaN層を成長さゼた。GaN低温バッファ層堆積後、高温GaN成長温度までの昇温時のキャリアガスに水素が含まれている場合には連続膜とならないが、窒素ガスのみにすると鏡面成長することが分かった。このような表面形態の改善は低温バッファ層のアニール時に再蒸発が起こりにくく、高温GaN成長直前において、SiC基板の表面はGaNパッファ層で被覆されていることによる。GaN成長層の結晶性は500-700℃の範囲ではパッファ層堆積温度にはあまり依存しない。しかし、バッファ層膜厚には依存し、薄いほど結晶性は良好になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
大塚 康二
サンケン電気
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
来正 洋一
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
-
高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
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