GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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減圧MOCVD装置を用いて,パターン化したSiO2膜を付けた(100)GaAs基板上にGaAs層を横方向成長させた。横方向成長に用いるための基板パターン化はフォトリソグラフィーにより行った。[110]に平行なストライプ方向よりも、[110]から[1-10]へ約20°傾けたストライプ方向の方が横方向成長量は増加した。AsH_3流量を減らす事により,縦方向への成長量が減少し、横方向への成長量が増加した。最も多い横方向成長量で1時間当たり10μmであり、通常の(100)GaAs基板の連続膜成長量である2.2μmと比べて4倍近い値が得られた.その時の横方向成長量/縦方向成長量は2.2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-06
著者
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