MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期の表面モホロジーを原子間力顕微鏡で調べた。770℃以上で多数の結晶核が発生し、早期に島状成長から層状成長に遷移した。アンチフェイズドメイン(APD)はすべての試料に存在した。表面荒れの主因はAPDの存在であった。APDの割合は成長条件に依存した。800-830℃の成長で、成長と共にAPDは自己消滅した。40nmの膜厚でシングルドメインのGaPが得られた。
- 2010-05-06
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