MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)供給量を変えることによりGaPの成長速度を変化させた。膜厚100nm程度成長させ、得られたGaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した770℃でトリメチルガリウムの供給量が最大の時以外層状のGaPが得られた。いずれの温度においても成長速度が低くなるにつれ、アンチフェーズドメイン(APD)は小さくなるがその密度は増加した。成長速度が低くなるにつれAPDの直上にGaP が成長しにくいことが解った。成長温度が低くなり成長速度が低くなるとファセット面がでやすくなることも解った。830℃で最適成長速度で100nm成長後APDは完全に埋め込まれていた。
- 2012-05-10
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