Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
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概要
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MOVPE法によるサファイア基板上GaN成長において一般に低温バッファ層が用いられているが、本研究では高温で堆積させたAlN/Alバッファ層あるいはAlバッファ層を用いてGaN層を成長させ、その表面形態、結晶性、歪みなどについて調べた。低温GaNバッファ層を用いた場合と比較してやや結晶性は悪くなるが、(0001)Ga面を持つ鏡面成長層が得られた。また、Al層はサファイア基板上にドット状に形成され、ドット間のAl層の薄い領域から高温GaN層が成長すること、Alの堆積量を少なくすることによる高温GaN直接成長の可能性等が示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
高野 泰
静岡大学工学部
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
-
田中 勝治
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
桑原 憲弘
静岡大学工学部
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
大塚 康二
サンケン電気
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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