LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
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概要
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我々はGaNと熱膨張係数が近く、かつ格子マッチングしやすい(La, Sr)(Al, Ta)O_3(LSAT)(111)面の基板としての可能性に注目した。このLSAT基板上にMOCVD法でGaN薄膜の成長を行った。最適な厚さ(〜10nm)のAlNブロッキング層を堆積することでGaN薄膜をLSAT基板上にエピタキシャルに成長させることができた。しかし、最も格子定数差が小さい配向関係よりも30°回転してGaNはLSAT基板上に成長することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
福家 俊郎
静岡大学工学部
-
藤岡 洋
東京大学大学院工学系研究科
-
角谷 正友
静岡大学工学部
-
吉村 克彦
静岡大学工学部
-
藤岡 洋
東京大学大学院
-
角谷 正友
「応用物理」編集委員会
-
角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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