減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性
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概要
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ジメチル亜鉛と硫化水素を用いた減圧MOCVD法によるGaAs基板上へのZnS成長において、成長速度及び成長層結晶性の基板面方位依存性について検討した。基板温度を250℃から450℃まで上昇させることにより、成長速度は(111)A面では減少し、(111)B面ではほとんど変化しない。また、H_2Sをプレヒートすることにより(111)Aおよび(100)面の成長速度は大きく変化し、プレヒート電力を増やし過ぎると成長速度の低下及び結晶性の劣化をまねくが、(111)B面では変化が少ない。これらの結果は、熱分解しにくいH_2Sの吸着・分解過程が(111)A面での成長速度を律速し、予備分解で生じるS_2が(100)、(111)A面の成長に悪影響をもたらしていることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
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