柳原 将貴 | サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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概要
関連著者
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柳原 将貴
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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大塚 康二
サンケン電気株式会社研究所
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大塚 康二
サンケン電気
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後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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町田 修
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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金子 信男
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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岩上 信一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部
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桑原 憲弘
静岡大学工学部
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後藤 博一
サンケン電気
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伊藤 孝浩
静岡大学工学部電気・電子工学科
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町田 修
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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町田 修
サンケン電気(株)
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金子 信男
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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高野 泰
静岡大学工学部
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福家 俊郎
静岡大学工学部
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千野 恵美子
サンケン電気株式会社研究所
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角谷 正友
静岡大学工学部
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勅使川原 秀多
静岡大学工学部電気・電子工学科
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千野 恵美子
サンケン電気株式会社 研究所
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角谷 正友
「応用物理」編集委員会
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角谷 正友
静岡大学工学部:科学技術振興機構
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馬場 良平
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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猪澤 道能
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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岩渕 昭夫
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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今井 哲二
明星大学情報学部電子情報工学科
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馬場 良平
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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岩渕 昭夫
サンケン電気(株)技術本部 先行技術開発統括部
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柳原 将貴
サンケイ電気(株)研究所
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大塚 康二
サンケイ電気(株)研究所
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高野 秦
静岡大学工学部電気・電子工学科
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福家 後部
静岡大学工学部電気・電子工学科
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高野 秦
静岡大学工学部電気電子工学科
著作論文
- 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
- MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
- 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果