HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaNに1原子層のAlNを周期的に挟んだ(AlN)_1/(GaN)_<n1>短周期超格子に数原子層のAlNを周期的に挿入した[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をホットウォールエピタキシー法により作製し、X線回折、透過電子顕微鏡観察により評価した。トータル20周期、0.4μmの量子カスケード層がGaN薄膜上へコヒーレントに成長していることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
八百 隆文
JASRI
-
八百 隆文
東北大金研
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
八百 隆文
東北大学金属材料研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
井上 翼
工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
長澤 仁也
静岡大学工学部
-
牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
-
牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部
関連論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Wクラス高出力量子カスケードレーザの開発(第7回赤外放射の応用関連学会年会)
- X線ルミネセンス強度の入射角依存性の測定及び新しい原子分解能ホログラフィーの可能性(原子をみる)
- 21pTJ-9 高速点火核融合実験用散乱中性子計測器の開発(21pTJ 核融合プラズマ(慣性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 22aPS-71 スピネル型Mn酸化物薄膜の磁気的性質
- レーザー
- IV-VI族半導体赤外線レーザ
- 赤・近赤外パワー半導体レーザの放射線耐性
- 赤・近赤外パワー半導体レーザのプロトン照射効果
- 高出力レーザー用ファラデー材料 : 低温冷却TGGセラミックスの磁気光学定数及び熱伝導率の測定
- 低温冷却TGGセラミックを用いた大出力レーザー用ファラデー素子の開発
- 広帯域光源の開発に向けたBiドープシリカファイバの分光特性
- 29pXF-3 希薄磁性半導体Ga_Cr_xNのCr2p励起軟X線発光,吸収分光(軟X線発光・散乱)(領域5)
- 21pTH-7 希薄磁性半導体 Ga_Cr_xN の N1s 軟 X 線発光・吸収分光
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 27pYL-8 レーザー核融合燃料面密度計測のための高速応答リチウム6シンチレーター(核融合プラズマ(慣性)(輸送/不安定性/他),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- C-4-14 高出力量子カスケードレーザの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 多重上位準位を有する量子カスケードレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ : 注入層内キャリア数の動的抑圧効果(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-15 SPC緩和構造を用いた4〜10μm帯量子カスケードレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外量子カスケードレーザを用いた分光計測
- DFB量子カスケードレーザーとその分光応用
- 短波長歪系量子カスケードレーザの開発とその分光応用
- 量子カスケードレーザーの分光応用 : メタンおよび一酸化二窒素の超精密赤外分光
- シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 10 J x 10 Hz LD励起スラブ型ガラスレーザーシステムの開発
- LD励起10J×10Hz Nd : ガラススラブレーザーの開発
- LD励起10Jx10Hz Nd : ガラススラブレーザーの動作特性
- 半導体レーザー
- CLBO結晶を用いた8.5Jグリーン光の高効率発生と全固体100TW級レーザーへの展開
- AlGaAs系半導体レーザのプロトン照射損傷
- LD光源の高出力化の現状と将来動向
- レーザー核融合炉用ドライバーHALNA開発のための大面積励起用200-kW半導体レーザーモジュール
- 単一光子ターンスタイル (回転ドア) 素子
- 核融合炉用スケールダウンレーザー(10J・10Hz級)の開発研究
- 大出力LD励起固体レーザードライバーHALNAによる2.4GWパルス, 217W平均出力動作
- 111 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第2報) : 自動車用鋼板のレーザ溶接特性(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 110 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第1報) : kW級半導体レーザ発振機の開発(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーの開発
- 28p-ND-2 固体レーザ励起用高出力807nm半導体レーザアレイ(II)
- 高効率, 熱複屈折補償型8パス構成LD励起Nd : YAGスラブ増幅器の開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 高出力半導体レーザーの開発
- レーザー励起用大出力LDアレイとその励起特性
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノテク・材料と赤外線
- 材料・光学部品 (1)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 赤外線半導体レーザの最近の動向
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
- IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
- CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
- 17aYA-11 SrTiO_3(001)基板上Pr_Sr_xMnO_3系薄膜における光吸収の温度依存性
- CdTe/ZnTe半導体量子構造の強磁場下発光特性 (強磁場下の物性の研究--光物性)
- 23aK-8 II-VI族化合物半導体ZnMgSeTe4元混晶系のラマン散乱
- 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
- 高出力LD励起全固体偏光結合共振器レーザーの開発
- 噴流水冷ヒートシンクによるCWLDバーの大出力動作
- 核融合炉用LD励起ガラスレーザードライバーHALNAの開発研究
- 半導体レーザー励起固体レーザーによる核融合炉用ドライバー(HALNA)の開発研究
- 大出力パルスLD励起スラブレーザーの繰返し動作特性
- 核融合炉用高平均出力レーザードライバー(HALNA)の開発研究
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーにおける光学要素の開発
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力半導体レーザーアレイ励起Csレーザーの研究
- 5)IV-VI族赤外線レーザの最近の研究(情報入力研究会)
- 31pYH-12 希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の価電子帯光電子スペクトル
- 30aXA-6 ZnSeおよびZnSe/ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸の時間分解内殻励起分光
- CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
- ZnO系酸化物半導体の現状と展望
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
- 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
- ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
- IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
- ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 非極性 GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望