非極性 GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望
スポンサーリンク
概要
著者
-
八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
大野 裕
東北大学金属材料研究所
-
徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
-
米永 一郎
東北大学金属材料研究所
-
李 賢宰
東北大学学際科学国際高等研究センター
関連論文
- 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- X線ルミネセンス強度の入射角依存性の測定及び新しい原子分解能ホログラフィーの可能性(原子をみる)
- 22aPS-71 スピネル型Mn酸化物薄膜の磁気的性質
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pXF-3 希薄磁性半導体Ga_Cr_xNのCr2p励起軟X線発光,吸収分光(軟X線発光・散乱)(領域5)
- 21pTH-7 希薄磁性半導体 Ga_Cr_xN の N1s 軟 X 線発光・吸収分光
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
- 17aYA-11 SrTiO_3(001)基板上Pr_Sr_xMnO_3系薄膜における光吸収の温度依存性
- CdTe/ZnTe半導体量子構造の強磁場下発光特性 (強磁場下の物性の研究--光物性)
- 23aK-8 II-VI族化合物半導体ZnMgSeTe4元混晶系のラマン散乱
- 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 31pYH-12 希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の価電子帯光電子スペクトル
- 30aXA-6 ZnSeおよびZnSe/ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸の時間分解内殻励起分光
- ZnO系酸化物半導体の現状と展望
- 蛍光X線ホログラフィーによるイメージング
- 24aYD-5 東北大学における男女共同参画推進と女性研究者支援(研究・教育の場における男女共同参画-女性研究者支援策の現状と展望,24aYD 物理と社会シンポジウム,物理と社会)
- 24aYD-5 東北大学における男女共同参画推進と女性研究者支援(物理と社会シンポジウム主題:研究・教育の場における男女共同参画----女性研究者支援策の現状と展望,物理と社会)
- 24aYD-5 東北大学における男女共同参画推進と女性研究者支援(物理と社会シンポジウム,主題 : 研究・教育の場における男女共同参画-女性研究者支援策の現状と展望,物理と社会)
- 24aYD-5 東北大学における男女共同参画推進と女性研究者支援(物理と社会シンポジウム:研究・教育の場における男女共同参画-女性研究者支援策の現状と展望,物理と社会)
- 2006年秋季(期)大会 日本鉄鋼協会・日本金属学会共同開催シンポジウム「男女共同参画活動の取り組み-魅力ある職場組織作り」報告
- 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
- 29pYE-5 GeSi 全率固溶体の結晶育成における過冷却と結晶性
- ラップトッププレゼンテーションの憂鬱(パソコンとビデオプロジェクターを利用した発表について思うこと)
- III. 半導体, セラミックスの欠陥構造 GaAs中のZ型フォールテッドダイポールの格子歪の定量評価
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 液状酸化ホウ素(B_2O_3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
- 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-8 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 非極性 GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望
- 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望