24aCD-8 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 沓掛 健太朗

  東北大学金属材料研究所

• 大澤 隆亨

  東北大学金属材料研究所

• 井上 海平

  東北大学金属材料研究所

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所

• 井上 海平

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

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