ZnO系酸化物半導体の現状と展望
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-01-10
著者
関連論文
- X線ルミネセンス強度の入射角依存性の測定及び新しい原子分解能ホログラフィーの可能性(原子をみる)
- 22aPS-71 スピネル型Mn酸化物薄膜の磁気的性質
- 29pXF-3 希薄磁性半導体Ga_Cr_xNのCr2p励起軟X線発光,吸収分光(軟X線発光・散乱)(領域5)
- 21pTH-7 希薄磁性半導体 Ga_Cr_xN の N1s 軟 X 線発光・吸収分光
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
- 17aYA-11 SrTiO_3(001)基板上Pr_Sr_xMnO_3系薄膜における光吸収の温度依存性
- CdTe/ZnTe半導体量子構造の強磁場下発光特性 (強磁場下の物性の研究--光物性)
- 23aK-8 II-VI族化合物半導体ZnMgSeTe4元混晶系のラマン散乱
- 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
- 31pYH-12 希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の価電子帯光電子スペクトル
- 30aXA-6 ZnSeおよびZnSe/ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸の時間分解内殻励起分光
- 解説 光学材料の研究・開発動向と今後の課題 (特集 高速・大容量化に対応する光学材料)
- ZnO系酸化物半導体の現状と展望
- 非極性 GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望
- 非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望