CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2001-12-10
著者
-
八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
八百 隆文
JASRI
-
八百 隆文
東北大金研
-
八百 隆文
東北大学金属材料研究所
-
牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
-
牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
-
福士 仁文
東北大学金属材料研究所
関連論文
- X線ルミネセンス強度の入射角依存性の測定及び新しい原子分解能ホログラフィーの可能性(原子をみる)
- ナトリウムフラックス法により成長したGaN単結晶および多結晶の光電気化学特性(E)
- 23pPSB-14 ZnOナノ構造体の高密度励起子による誘導放出発光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22aPS-71 スピネル型Mn酸化物薄膜の磁気的性質
- 非インジウム系酸化亜鉛透明導電膜の技術開発動向(21年度第1回研究会)
- 29pXF-3 希薄磁性半導体Ga_Cr_xNのCr2p励起軟X線発光,吸収分光(軟X線発光・散乱)(領域5)
- 21pTH-7 希薄磁性半導体 Ga_Cr_xN の N1s 軟 X 線発光・吸収分光
- 18aPS-34 ZnOエピタキシャル薄膜の高密度光励起状態のダイナミクス
- 28pYA-9 光カーゲート法によるZnOエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光II
- 24aT-3 Ag_2S/MgO(001)ヘテロエピタキシーの膜厚依存性
- 24aT-2 Ag_2S/SrTiO_3(001)のヘテロエピタキシー
- 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- ZnSeのMBE成長機構
- STMによるSi(111)へのAlCl^3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作
- 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- アルゴンイオンスパッタSi(001)固相エピタキシ過程のSTMによるその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- STMによるSi表面へのAlCl_3吸着過程の観察と反応表面での原子・分子操作
- 15a-DJ-12 STMによるAlCl_3吸着Si(111)表面の観察
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 27pC3 アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
- STMによるシリコン表面の構造評価 (電子材料高度評価技術)
- ITO代替材料としてのZnO実用化研究開発の現状と課題
- 19pPSB-6 半導体を用いたメタマテリアルの光学応答(ポスターセッション,領域5,光物性)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- レアメタル代替材料としての酸化亜鉛透明導電膜の可能性 (特集 レアメタルとくるま)
- 大面積ZnO透明導電膜実現のための反応性プラズマ蒸着法と薄膜物性
- CH_4/H_2 系 RIE によるZnSe 系化合物半導体の量子構造作製と光学的物性評価
- 17aYA-11 SrTiO_3(001)基板上Pr_Sr_xMnO_3系薄膜における光吸収の温度依存性
- CdTe/ZnTe半導体量子構造の強磁場下発光特性 (強磁場下の物性の研究--光物性)
- 23aK-8 II-VI族化合物半導体ZnMgSeTe4元混晶系のラマン散乱
- 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
- 気相成長による脂質長鎖分子蒸着薄膜のAFM観察 : 有機結晶(一般)II
- 2p-Z-4 ZnSe/ZnS量子ドット構造の作成と物性評価
- 2p-X-9 Cd_Mn_Seにおけるp-d, d-d交換相互作用の圧力依存性
- 30a-Z-9 高圧下におけるCd_M_xSe(M=Mn, Co)のd-d交換相互作用
- 29a-ZX-7 MBE成長ZnSエピタキシ膜の評価
- 28pPSB-4 InAs/GaAs (001) 自己形成ドットのサイズ均一化の機構
- 22aPS-56 ZnOナノ構造体の高密度励起子発光に対する光照射効果(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-47 ZnOナノ構造体の高密度励起子発光のダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28aPS-55 ZnO薄膜における2光子吸収による高密度励起子発光のダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-56 ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光のダイナミクス(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30aPS-53 ZnOエピタキシャル薄膜における高密度励起子状態のダイナミクス(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-21 ZnO エピタキシャル薄膜における高密度光励起キャリアの緩和と拡散
- ZnOエピタキシーの最近の進展
- 17pRE-5 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子・励起子分子のダイナミクス
- 28pYA-10 ZnOエピタキシャル膜における高密度キャリアによるバンドギャップのエネルギーシフト
- II-VI族化合物半導体の分子線エピタキシー薄膜 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- MBEによるInGaAs成長中のIn再蒸発
- 原子価不整合のあるII-VI/III-V界面の形成
- 23pN-14 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光II
- 23aN-11 光カーゲート法によるZnOエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光
- 31pYH-12 希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の価電子帯光電子スペクトル
- 30aXA-6 ZnSeおよびZnSe/ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸の時間分解内殻励起分光
- 15a-DH-12 シリコン上へのAlの整合吸着相のSTM観察
- 14p-DH-5 MoS_2表面のSTM/STS
- SK4 Si(111)面上のAlの吸着構造のSTM観察
- 25p-Y-8 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (II)
- 25p-Y-7 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (I)
- ZnO系酸化物半導体の現状と展望
- AlAs/GaAs超格子の熱物性 (超格子素子基礎技術) -- (超格子の構造と特性評価)
- レアメタル代替材料としての酸化亜鉛透明導電膜の可能性
- 29a-Z-15 ALE成長ZnSe単層の発光
- 26pYC-3 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光
- 31p-ZG-7 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光II
- 27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
- II-VI族半導体量子ドット
- 31p-YG-11 ZnSe中の単一CbSe量子ドットの発光
- 27pC4 p-CdSeの作製と評価(気相成長III)
- 24aL-4 単一量子井戸ZnS/(ZnSe)_1/ZnSの励起子の超放射効果
- 29p-ZE-14 単一量子井戸ZnS/(ZnSe)1/ZnSの高密度励起状態からの発光
- 27pC15 TEGa・TBAsを用いたGaAsのGS-MBE成長(気相成長IV)
- SCaM/AFM/STM複合顕微鏡による半導体電気特性ナノレベル評価
- 半導体量子ドットの自然形成とその評価法
- Si(100)ステップの局所構造と電子状態
- STMでみる固相エピタキシープロセス
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- C-3-98 酸化亜鉛透明導電膜 : 液晶ディスプレイテレビ用ITO代替と更なる応用へ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 酸化亜鉛透明導電膜の構造, 電気および光学特性
- 酸化亜鉛透明導電膜の構造,電気および光学特性
- 酸化亜鉛透明導電膜における構造・電気・光学特性の特徴
- 非極性 GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望
- 26pPSA-51 自己組織化CdSe量子ドットにおけるアンチ・ストークス発光(26pPSA,領域5(光物性分野))
- 非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望