25p-Y-8 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
佐藤 智重
日本電子
-
末吉 孝
日本電子
-
岩槻 正志
日本電子
-
吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
-
八百 隆文
東北大学金属材料研究所
-
吉村 雅満
広大工
-
八百 隆文
広大工
-
高岡 克也
広大工
-
末吉 孝
JEOL
関連論文
- SPM最先端研究の現状と可能性 : 有機バイオ分野を中心にして
- グラファイト基板上へのカーボンナノ構造の成長
- Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
- Baに誘起されたSi(111)微斜面における規則的ステップの低速電子線回折(LEED)・走査トンネル顕微鏡(STM)による観察
- 走査型トンネル顕微鏡によるBa/Si(100)の成長過程の観察
- 30pYQ-6 グラファイト上の多層ナノチューブの原子ギアロックによる転がり
- 25aTA-1 グラファイト上の多層ナノチューブの配向と高分解摩擦力像
- 25aT-12 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
- 25aT-1 C_、C_薄膜の摩擦力像の異方性
- 24aPS-60 Phを媒介とするAgナノ構造の形成と制御
- 23pW-7 ナノロープの滑りと摩擦力像
- 26aPS-54 C_、C_ナノチューブのナノ摩擦
- シリコン材料におけるSTM
- 29a-PS-8 Sn吸着によるSi(110)面の凹凸周期構造の変調
- 走査型水素検出顕微鏡の開発とその応用
- 31p-YF-13 Si(110)清浄表面 : "16構造"の原子配列のSTM観察
- 31a-PS-15 Si(110)表面原子配列への微量ニッケルの及ぼす影響
- 8p-B-12 TOF-ESDによる固体表面上の水素の二次元局所分析
- 8a-H-12 Sn/Si(110)の被覆率依存性のSTM観察
- 29a-PS-53 TOF-ESDとFTIRのその場観察による金属表面へのCOの吸着
- 2p-K-2 有機伝導体(BEDT-TTF)_2X(X=I_3,KHg(SCN)_4,(NH_4)Hg(SCN)_4)表面のSTM観察
- プローブ顕微鏡 (SPM) による表面分析
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 29a-PS-51 スズ吸着Si(111)表面局所構造と水素照射効果
- STMによるSi(111)へのAlCl^3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作
- 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- アルゴンイオンスパッタSi(001)固相エピタキシ過程のSTMによるその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- STMによるSi表面へのAlCl_3吸着過程の観察と反応表面での原子・分子操作
- 15a-DJ-12 STMによるAlCl_3吸着Si(111)表面の観察
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 27pC3 アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
- 29p-PSB-10 Si(100)上のTi薄膜の初期成長形態
- 2p-K-1 有機超伝導体(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2表面のSTMによる研究
- 25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
- 気相成長による脂質長鎖分子蒸着薄膜のAFM観察 : 有機結晶(一般)II
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 30p-BPS-8 グラファイト上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 3a-K-1 マイカ上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 15a-DH-12 シリコン上へのAlの整合吸着相のSTM観察
- 14p-DH-5 MoS_2表面のSTM/STS
- SK4 Si(111)面上のAlの吸着構造のSTM観察
- 25p-Y-8 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (II)
- 25p-Y-7 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (I)
- 第8回走査トンネル顕微鏡/分光法および関連技術国際会議
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- シリコン基板上のナノワイア形成プロセスの制御と物性解明
- 29p-ZF-3 STMによる有機導電体薄膜の観察
- 31a-TA-3 LEEDによるAl/Si(100)表面の研究
- 6p-T-1 時間分解型LEED装置の製作
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 5p-T-6 LEEDによるSi(111)√×√-Alの構造解析
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 27p-ZS-8 III族原子吸着Si(100)再配列表面の研究
- 27a-ZS-3 Si(111)√x√-A1のテンソルLEEDによる構造解析
- 30p-BPS-21 Al、In/si(100)のLEEDによる研究
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- SPMによる表面の計測と加工
- 超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
- 原子分解能SKPMによる半導体材料科学への応用法
- 超高真空 SPM による原子レベルの電位像観察
- 低温UHV-AFM/STMの開発
- SPMで観察する極微の世界
- 温度可変機能を付加した環境制御SPM
- 試料バイアス電圧のUHV NC-AFM観察に及ぼす影響
- 高温走査型トンネル顕微鏡 (HT-STM) によるSi 表面の実時間観察
- 28aXE-10 Si(100)(2×1)における1, 4-シクロヘキサジエン吸着状態の被覆量依存性
- 28p-PSB-22 Si(5 5 12)面のSTM観察
- 28p-WB-4 Si(111)-In 吸着・脱離過程の高温STM観察
- 表面のナノオーダ観察・分析
- 温度可変超高真空STM
- 走査型トンネル顕微鏡 (微細計測技術--マイクロ記録への可能性発見(Imaging Today))
- 表面の原子の動きを監察する - 高温STM -
- 表面と観察装置
- 第29回表面科学研究会-SPM技術の最新の展開-
- STMで用いる試料温度の測定
- STMで用いる直接通電加熱
- 5p-L-8 30Åの微小領域での制限視野回折
- 走査トンネル顕微鏡によるシリコン表面の吸着原子の動的観察
- 2.2 Si表面の再配列構造生成
- 1 STM 加工(生産技術のニューウェーブ《マイクロ加工》)
- 超高真空STMによる描画技術の可能性 (STMはどこまで進化するか)
- タイトル無し