HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
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概要
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(HWE)法を用いてGaN層に単原子層のAlNを挾んだAlN/GaN短周期超格子を作製した。超格子構造は、X線回折パターンの測定値と理論値との比較により評価し、良好な超格子構造ができていることが確認された。またPL測定、励起スペクトル測定を行い、AlGaN/GaN超格子と比べ比較的強い発光が観測された。比較的強い発光はAlN/GaN短周期超格子のピエゾ効果が通常のAlGaN/GaN超格子に比べ小さいためであると考えられる。GaN層の厚さの変化に伴うバンド端発光のエネルギーシフト量は、理論値と良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
井上 翼
工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
長澤 仁也
静岡大学工学部
-
石野 健英
静岡大学工学部
-
石野 建英
静岡大学工学部電気電子工学科
-
尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学料
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部
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