C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-08-16

著者

• 以西 雅章

  静岡大学工学部

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 市川 裕士

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Shizuoka University

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 市川 裕士

  静岡大学工学部

• 伊藤 泰充

  スズキ(株)都田電子技術研究開発センター

• 伊藤 泰充

  Miyakoda Electronics Technical Center Suzuki Motor Corporation

• 以西 雅章

  静岡大学工学研究科

関連論文

• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ポーラスシリコン層のSEM観察
• 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
• ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (シリコン材料・デバイス)
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (電子デバイス)
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 赤外線半導体レーザの最近の動向
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
• IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
• C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
• C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
• 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
• Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク