HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
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概要
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ホットウォールエピタキシー(HWE)法により、サファイア基板上にGaNの成長を行った。サファイア基板上にGaNを成長させる場合、成長初期段階で如何に平坦なGaNを成長させるかが重要である。我々は窒化したサファイア基板上に低温でGaを蒸着し、その後NH_3雰囲気中でアニールすることにより、比較的平坦性の良いGaN初期層が形成できることを見出した。このGaN初期層の上にGaNの成長を行うことにより透明で鏡面をした結晶性良好なエピタキシャル膜が得られた。得られた薄膜のPL特性及び電気的特性についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
太田 正志
浜松ホトニクス(株)
-
桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 大介
Asti(株)
-
藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
山本 悦司
静岡大学工学部電子工学科
-
榊原 慎吾
ヤマハ(株)
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