量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• (AlN)_1/(GaN)_<n1>の短周期超格子の伝導帯基底サブバンドから第二サプバンドヘの電子注入にピエゾ効果を利用する[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をサファイア(0001)基板上に作製し、その構造をX線回折及び透過電子顕微鏡観察により評価した。平坦なGaNバッファ層上へ量子カスケード構造を成長することにより、周期性の良い高品質なカスケード構造が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-08

著者

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 石田 明広

  静岡大学 工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電気工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 曽根 直樹

  静岡大学工学部

• 長澤 仁也

  静岡大学工学部

• 石野 健英

  静岡大学工学部

• 石野 建英

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部

関連論文

• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• IV-VI族半導体赤外線レーザ
• ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
• Au超微粒子を埋め込んだナイロン11蒸着膜の構造と物性
• IV-VI族化合物半導体薄膜と赤外レーザへの応用
• Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
• 29p-F-2 Geナノ結晶を介した単一電子輸送現象
• ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
• ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
• 窒化物ナノ蛍光体による新規紫外発光デバイスの研究
• エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノテク・材料と赤外線
• 材料・光学部品 (1)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 赤外線半導体レーザの最近の動向
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
• IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
• 28a-YL-4 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導 II
• IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
• 2a-J-7 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
• 28p-G-7 Si-rich SiO_2膜の電気伝導
• カーボンナノチューブ構造体の熱電子源応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 5)IV-VI族赤外線レーザの最近の研究(情報入力研究会)
• 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
• CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
• 工学部新入生に対する「ものづくり導入教育」への技術支援
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
• Hot Wall法によるEL素子用薄膜の成長と評価
• 30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
• C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• Characterizations of ZnS-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
• 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 反応性蒸着過程におけるるつぼ中の金属Mnの酸化克服法
• C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
• C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
• C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
• 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
• Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• X線回折によるPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子中のSn拡散の評価と低拡散HWE成長法
• 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
• ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
• IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
• 4-6族長波長半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
• ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの高速成長とその繊維化(キーノート講演)
• 105 一方向配向カーボナノチューブ強化プラスチックの破壊機構に関する検討(破壊,破壊の発生・進展とその解析・評価・計測,オーガナイスドセッション7)
• HWE法成長PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
• ホットウォール法によって製作したPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子
• ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
• ホットウォ-ル法による2-6および4-6族化合物半導体超格子作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク