Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング

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概要

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• Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜(〜8nm)の直流電気伝導を測定した。埋め込んだナノ結晶のサイズは2nm以下である。測定の結果、室温においてクーロンブロッケードを観測した。低温では約250mV周期のクーロンステアケースを観測した。モンテカルロシミュレーションによるフィッティングの結果、電流は数個のナノ結晶を流れていることが考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-12-10

著者

• 山本 恵一

  神戸大自然科:神戸大工

• 山本 恵一

  神戸大学工学部電気電子工学科

• 藤井 稔

  神戸大学工学部

• 藤井 稔

  神戸大院工

• 林 真至

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 山本 恵一

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 田中 篤嗣

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 井上 翼

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電気工学科

• 林 真至

  神戸大学大学院工学研究科

• 山本 恵一

  神戸大 工

• Fujii Masatoshi

  Department Of Chemistry Graduate School Of Science Tokyo Metropolitan University

• 藤井 稔

  神戸大学工学研究科

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