Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅲ. Si-C, Si-N, Si-Ge and Si-Sn Bonds
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概要
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The vibrational modes associated with four ternary compounds α－SiX:H(X=C,N,Ge,Sn) are summarized from the literature. The most probable frequencies and their origins of the Si－X bonds are presented with some topics related to those compounds. The controllability of optical bandgap and its relation to the vibrational properties are emphasized; α－SiC:H and α－SiN:H show wider bandgaps than α－Si:H while α－SiGe:H and α－SiSn:H are narrower.
- 津山工業高等専門学校の論文
- 1987-02-28
著者
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