Siナノ結晶の近赤外発光 : 発光スペクトルの温度依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
山本 恵一
神戸大自然科
-
山本 恵一
神戸大自然科:神戸大工
-
山本 恵一
神戸大学工学部電気電子工学科
-
林 真至
神戸大自然科
-
藤井 稔
神戸大院工
-
神澤 好彦
神戸大自然科
-
竹岡 慎治
神戸大自然科
-
藤井 稔
神戸大自然科
-
林 真至
神戸大学大学院工学研究科
-
Fujii Masatoshi
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Tokyo Metropolitan University
関連論文
- 5p-H-1 自己組織化金微粒子薄膜の電気伝導特性
- Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅲ. Si-C, Si-N, Si-Ge and Si-Sn Bonds
- Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅱ. Si-O, Si-Cl, Si-B, and Si-p Bonds
- 4a-S-11 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合III
- 4a-S-10 半導体微粒子のラマン散乱 : Si微粒子の場合III
- Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅰ. Si-Si, Si-H, and Si-F Bonds
- 2a-A-18 グロー放電で得られたSi微粒子物性
- 2a-A-17 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合
- 2a-A-16 半導体微粒子のラマン散乱 : Si微粒子の場合
- 22pN-2 誘電体微小球によるEvanescent波の散乱
- 22pN-1 粗い金属表面上のEvanescent波励起
- 27a-YE-8 多層膜系の共鳴フォントントンネリングII : 理論
- 27a-YE-7 多層膜系の共鳴フォントントンネリングI : 実験
- 31P-F-9 長距離伝播表面モードを用いた光第二高調波の増強
- 1p-Y-12 長距離伝搬表面モードを用いたラマン散乱の増強
- 27a-Z-13 SiO_2-Ag薄膜の長距離伝搬表面モード
- 29a-YN-12 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの励起
- 29p-YN-11 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの輻射
- 3p-G-16 窒素をドープしたGaP微粒子の発光スペクトル
- 3p-G-2 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用II
- 28p-J-11 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用
- 15a-DJ-3 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
- 13p-DC-16 ガス中蒸発MoO_3微粒子のラマン散乱
- 13p-DC-10 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光とラマン散乱
- 29p-PSB-31 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
- 30p-Q-3 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光 (II)
- 27p-PSA-39 ガス中蒸発Si微粒子の赤外吸収 : 水素の効果
- 25aS-8 金属内包カーボンナノカプセルの作製と形成メカニズム
- Au超微粒子を埋め込んだナイロン11蒸着膜の構造と物性
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用
- Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- Siナノ結晶によるErの光増感作用
- Siナノ結晶における不純物ドーピング効果
- 24pW-13 SiO_2ナノワイヤーの作製と赤外吸収
- 23pS-7 カーボンオニオンのESR
- GeをドープしたSiナノ結晶からの発光(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 27aZ-9 Agナノ結晶を埋め込んだAl_2O_3薄膜の光電流特性
- 27aZ-8 透明薄膜中に埋め込まれた金属ナノ結晶の低波数ラマン散乱 : 励起波長依存性
- 27pE-4 酸素雰囲気加熱処理によるカーボンオニオンのダイヤモンドへの転移
- 24aF-7 ダイヤモンドナノ粒子を用いた金属内包カーボンナノカプセルの作製
- 27pC-5 PSG中に埋め込んだSiナノ結晶のESR測定
- 27pC-4 SiGe混晶ナノ結晶の発光
- Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
- 26a-M-2 ダイヤモンドナノ結晶から作製したたまねぎ状炭素微粒子のEELS
- 25p-YE-10 Siナノ結晶からのエネルギー移動による希土類イオンの発光
- 25p-YE-9 B又はPをドープしたSiナノ結晶の発光III
- 31a-YJ-4 Si及びGeナノ結晶からのエネルギー移動によるEr^の発光
- 31a-YJ-3 B又はPをドープしたSiナノ結晶の発光II
- 8a-D-1 炭素ナノ微粒子の高温熱アニールにより作製したオニオンライクカーボンのRaman散乱
- 8p-E-4 B及びPをドープしたSiナノ結晶の発光
- 29p-F-2 Geナノ結晶を介した単一電子輸送現象
- 24aRA-9 Siナノ結晶の発光量子効率(24aRA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 18aPS-30 Microcavity中のSiナノ結晶の発光
- 18aPS-25 ダイアモンドナノ粒子から作製したカーボンオニオンの光吸収
- 27aPS-20 CoNi-Cナノグラニュラー薄膜の磁気特性
- 27pXA-12 Whispering Gallery Modesによる表面プラズモンの励起
- 27pXA-12 Whispering Gallery Modesによる表面プラズモンの励起
- 28a-YL-4 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導 II
- IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 2a-J-7 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 28p-G-7 Si-rich SiO_2膜の電気伝導
- 31a-L-1 擬2次元Au微粒子膜における磁気抵抗
- 30a-G-10 Si自然酸化膜上に作成したAu微粒子膜の電気伝導
- 半導体におけるカオス現象
- 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
- 5a-S4-11 半導体における衝突電離過程とカオス
- 8. Firing Wave Instability and Chaos of Current Filaments in Semiconductor
- 29p-P-12 Si酸化物微粒子の赤外吸収II
- 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
- 半導体におけるカオス現象
- 3p-D-8 半導体電流フィラメントにおけるカオスと分岐現象
- 4a-WB-18 GaAs障壁層におけるホットエレクトロン効果
- 28a-YE-3 Geナノ結晶の近赤外発光
- 28a-YE-2 Si-rich SiO_2膜中のErの発光
- Si-rich SiO_2膜中のErの発光
- Siナノ結晶の近赤外発光
- Siナノ結晶に閉じ込められた音響フォノンのラマン散乱
- Siナノ結晶の近赤外発光 : 発光スペクトルの温度依存性
- 1p-Y-11 Si-rich SiO_2膜の可視発光 : 高温アニールの効果
- BをドープしたSiナノ結晶 : ラマン、赤外分光法による物性評価
- 27a-Z-10 SiO_2マトリックス中に埋め込まれたIV族元素メゾスコピック粒子の共鳴ラマン散乱
- 28p-YA-1 不純物をドープしたSi微粒子の作製とそのラマンスペクトル
- 29a-YN-7 SiO_2中のSi超微粒子の光吸収
- 28a-J-2 Si-rich SiO_2膜の光吸収
- 22pN-2 誘電体微小球によるEvanescent波の散乱
- 22pN-1 粗い金属表面上のEvanescent波励起
- オニオンライクカーボンのラマン散乱
- アーク放電法で作製したcarbyneの電子顕微鏡観察とラマン散乱測定
- Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の電気伝導
- 1a-J-6 Ag超微粒子を埋め込んだSiO_2薄膜の電気伝導
- 1a-F-4 Si, Ge超微粒子を埋め込んだSiO_2薄膜の電気伝導
- 29p-PSB-7 SiO_2中に埋め込まれたSiC微粒子の光物性
- 29p-PSB-3 ガス中蒸発炭素微粒子の光物性
- Single Crystal Growth of CdIn_2S_4
- 22aYF-2 カーボンオニオン薄膜の作製と評価
- 25aSA-11 SiGe混晶ナノ結晶の発光とESR
- THERMAL ANNEALING OF SPUTTERED SiGe ALLOY FILMS : A ROMAN AND ELECTRON MICROSCOPIC STUDY
- I. マイクロクラスターの世界 : 5. 物性を測る: マイクロクラスターから結晶へ ( マイクロクラスター)
- 5a-L-1 CdS単結晶の負性抵抗発生時のelectron trapping levelのT.S.C法による決定
- The Effects of Photo Hall mobility and Electric Field in CdS Single Crystal