Si・Erを共添加したSiO_2膜の導波路型光増幅器への応用(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)

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概要

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SiとErを共添加したSiO_2膜の光導波路型増幅器への応用を目的として、Si濃度およびEr濃度を変化させ、励起光照射と非照射の両方の場合で、波長1.55μmの信号光伝搬特性を調べた。Er濃度を増加させると、フォトルミネッセンス強度も増加するが、高濃度になると減少の傾向が表れた。また、励起光非照射時に、Si濃度の増加と共に光導波損失が大きくなった。励起光照射時のSiナノ結晶による損失増加を示唆する結果も得ており、Siナノ結晶はErの増感剤として重要であるが、信号光を減衰させる作用も持つことを考慮する必要がある。またSi濃度とEr濃度も合わせて変化させた場合の光導波損失も測定し、それぞれの濃度と共に増加する結果を得た。光増幅の実現のために、これらの結果を踏まえたSi濃度とEr濃度の最適値の評価が重要である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-01-25

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