BをドープしたSiナノ結晶 : ラマン、赤外分光法による物性評価
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概要
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Si,SiO_2及B_2O_3を同時スパッタする事によりBをドーブしたSiナノ結晶の作製を試みた。試料のラマンスペクトルを励起波長を変えながら測定したところ、高濃度にBがドープされたバルクSiと類似した、スペクトルの変化が観測された。これは、電子ラマン散乱とフォノン散乱との間で起こったFano型の干渉効果によるものであると思われる。また、赤外吸収スペクトルからは、Siナノ結晶の表面プラズモンによるものと思われる吸収ピークが観測された。これらの結果から、Siナノ結晶中にBがドープされているとの結論が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
山本 恵一
神戸大自然科:神戸大工
-
山本 恵一
神戸大学工学部電気電子工学科
-
林 真至
神戸大学工学部
-
藤井 稔
神戸大院工
-
神澤 好彦
神戸大自然科
-
Fujii Masatoshi
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Tokyo Metropolitan University
-
神澤 好彦
神戸大学自然科学研究科
-
藤井 稔
神戸大学自然科学研究科
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