29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1986-09-12

著者

• 小林 利彦

  神戸大工

• 山本 恵一

  神戸大自然科:神戸大工

• 山本 恵一

  神戸大・工

• 青木 和徳

  神戸大・工

• 小林 利彦

  神戸大・工

• 川端 純市

  神戸大・工

• 田中 喜好

  神戸大・工

関連論文

• 5p-H-1 自己組織化金微粒子薄膜の電気伝導特性
• Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅲ. Si-C, Si-N, Si-Ge and Si-Sn Bonds
• Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅱ. Si-O, Si-Cl, Si-B, and Si-p Bonds
• 4a-S-11 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合III
• 4a-S-10 半導体微粒子のラマン散乱 : Si微粒子の場合III
• Vibrational Modes in Raman and Infrared Spectra of Amorphous Silicon. Ⅰ. Si-Si, Si-H, and Si-F Bonds
• 2a-A-18 グロー放電で得られたSi微粒子物性
• 2a-A-17 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合
• 2a-A-16 半導体微粒子のラマン散乱 : Si微粒子の場合
• 22pN-2 誘電体微小球によるEvanescent波の散乱
• 22pN-1 粗い金属表面上のEvanescent波励起
• 27a-YE-8 多層膜系の共鳴フォントントンネリングII : 理論
• 27a-YE-7 多層膜系の共鳴フォントントンネリングI : 実験
• 31P-F-9 長距離伝播表面モードを用いた光第二高調波の増強
• 1p-Y-12 長距離伝搬表面モードを用いたラマン散乱の増強
• 27a-Z-13 SiO_2-Ag薄膜の長距離伝搬表面モード
• 29a-YN-12 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの励起
• 29p-YN-11 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの輻射
• 3p-G-16 窒素をドープしたGaP微粒子の発光スペクトル
• 3p-G-2 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用II
• 28p-J-11 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用
• 15a-DJ-3 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
• 13p-DC-16 ガス中蒸発MoO_3微粒子のラマン散乱
• 13p-DC-10 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光とラマン散乱
• 29p-PSB-31 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
• 30p-Q-3 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光 (II)
• 27p-PSA-39 ガス中蒸発Si微粒子の赤外吸収 : 水素の効果
• 2p-F-17 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
• 25aS-8 金属内包カーボンナノカプセルの作製と形成メカニズム
• 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
• 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
• Siナノ結晶における不純物ドーピング効果
• 24pW-13 SiO_2ナノワイヤーの作製と赤外吸収
• 23pS-7 カーボンオニオンのESR
• GeをドープしたSiナノ結晶からの発光(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 27aZ-9 Agナノ結晶を埋め込んだAl_2O_3薄膜の光電流特性
• 27aZ-8 透明薄膜中に埋め込まれた金属ナノ結晶の低波数ラマン散乱 : 励起波長依存性
• 27pE-4 酸素雰囲気加熱処理によるカーボンオニオンのダイヤモンドへの転移
• 24aF-7 ダイヤモンドナノ粒子を用いた金属内包カーボンナノカプセルの作製
• 27pC-5 PSG中に埋め込んだSiナノ結晶のESR測定
• 27pC-4 SiGe混晶ナノ結晶の発光
• Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
• 26a-M-2 ダイヤモンドナノ結晶から作製したたまねぎ状炭素微粒子のEELS
• 25p-YE-10 Siナノ結晶からのエネルギー移動による希土類イオンの発光
• 31a-YJ-3 B又はPをドープしたSiナノ結晶の発光II
• 8a-D-1 炭素ナノ微粒子の高温熱アニールにより作製したオニオンライクカーボンのRaman散乱
• 8p-E-4 B及びPをドープしたSiナノ結晶の発光
• 29p-F-2 Geナノ結晶を介した単一電子輸送現象
• 4p-M-5 静水圧下におけるn-InPの高電界電気特性
• 19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aXJ-3 ボロンをイオン打ち込みしたシリコンの近赤外発光と圧力効果(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pYF-12 高圧力下のGaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 4a-A2-6 高圧力下におけるInPの光吸収
• 26a-G-14 高濃度ドープGaAsの光吸収の圧力依存性
• 30a-Y-2 GaSbの光吸収の圧力依存症II
• 31a-L-1 擬2次元Au微粒子膜における磁気抵抗
• 30a-G-10 Si自然酸化膜上に作成したAu微粒子膜の電気伝導
• 28pTB-5 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造における短波長発光
• 3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
• 31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
• 4a-LT-9 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性に関する理論解析
• 4a-LT-8 n-InPの高電界電気伝導特性とその高圧力依存性
• 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
• 28pTB-7 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性
• 24aL-10 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造におけるフォトルミネッセンス
• フェリ磁性体の磁気音響共鳴 : 磁性(酸化物)
• 12a-R-5 GaAs及びInPの電界印加フォトルミネッセンス
• 30p-ZE-11 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIV
• Time-Resolved Photoluminescence in GalnP Grown on Misoriented (100) GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
• 2a-YH-6 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
• 2a-YH-5 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIII
• 5p-E-9 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスII
• 5p-E-8 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスI
• 31a-R-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンスとその圧力依存性
• 秩序構造GaInPの時間分解フォトルミネッセンスの圧力依存性
• 3a-X-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
• 5a-F-16 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性II
• 28p-K-3 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
• 13a-DE-15 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性IV
• 1p-N-2 MOVPE成長GaInPのフォルトルミネッセンスの圧力依存性III
• 28a-ZH-16 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
• 1a-BJ-13 電圧印加 CdSe における励起子-電子非弾性衝突
• 24p-M-8 CaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
• 31a-Z-4 GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
• 1a-Pα-1 GaAsにおける波長選択アバランシェブレークダウン及びその確率過程II
• 2a-NL-5 熱平衡下におけるGaAsのポラリトンルミネッセンス構造の考察
• 2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
• 3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
• 3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
• 27a-Q-6 電子交換を考慮した励起子-電子弾性衝突の断面積の計算
• 27a-Q-5 GaAsにおける励起子衝突電離に関する理論的考察
• 3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移
• 3p-B-15 n-GaAsにおける励起子ポラリトンの偏光相関
• 2p GE-1 電界下におけるGaAsの励起子 : ポラリトン構造
• 5p-LT-19 P型GaAsのMOS構造におけるルミネッセンス
• 3p-DS-22 GaAsにおけるルミネッセンスのエキシトン・ポラリトン構造
• Magnetoacoustic Resonance
• 30a-FB-4 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 24aWE-3 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aWE-1 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク