3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1979-09-15

著者

• 小林 利彦

  神戸大工

• 山本 恵一

  神戸大・工

• 青木 和徳

  神戸大・工

• 小林 利彦

  神戸大・工

関連論文

• 2p-F-17 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
• 3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
• 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
• 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
• 4p-M-5 静水圧下におけるn-InPの高電界電気特性
• 19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pYJ-9 n-GaAsにおいて中性ドナーの衝突電離過程に伴うPL発光強度の異常増強
• 19pYJ-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成
• 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
• 30aTB-6 n-GaAsにおいて浅い不純物ドナーの衝突電離過程が引き起こすチューリング分岐
• 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
• 22aL-7 コルビノ電極を形成したGaAsにおける電流フィラメントの初期パターン形成
• 25pD-10 高電場下AlGaAs/GaAs界面の二次元電子ガスからの発光II
• 26a-YE-9 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスII
• 26a-YE-8 衝突電離によって誘起された電流フィラメントの磁気抵抗効果
• 2a-YJ-8 n-GaAsにおける電流フィラメントの緩和過程
• 2a-YJ-7 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスI
• 31a-Q-9 アンチドット格子における磁気抵抗構造の起源
• 5p-A-4 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定IV
• 31a-S-3 GaAs 中電流フィラメントのパターン形成と不安定性III
• 23aXJ-3 ボロンをイオン打ち込みしたシリコンの近赤外発光と圧力効果(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pYF-12 高圧力下のGaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 4a-A2-6 高圧力下におけるInPの光吸収
• 26a-G-14 高濃度ドープGaAsの光吸収の圧力依存性
• 30a-Y-2 GaSbの光吸収の圧力依存症II
• 31a-S-2 アンチドットLSSLの磁気抵抗ピークとビリヤード散乱過程
• アンチドットLSSLの磁気抵抗効果III
• 1p-F-9 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定性I
• 30p-X-9 アンチドットLSSLの磁気抵抗効果II
• 14a-K-3 衝突電離カオスにおける フラクタル・ベイスン境界 I
• 29a-PS-39 ダイオードを用いた結合電気回路のカオスとスイッチング現象
• 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
• 4a-B-7 GaSe_S_x混晶のブリルアン散乱II
• 4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
• 4a-NL-14 高出力パルスレーザー照射によるアモルファスSOSの結晶転移
• 1p-B-14 パルスレーザーアニールSOSのラマン散乱
• 1p-B-12 半導体のレーザーアニール時における伝導度と反射率
• 27p-B-2 カルコパイライト系CdGa_2S_4結晶の遠赤外反射測定
• 3p-B-17 マイクロコンピュータ制御ファブリペロー干渉計を用いたブリルアン散乱
• 3a GE-6 CdSにおける共鳴ブリルアン散乱
• 28pTB-5 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造における短波長発光
• 3p-S-6 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱
• 3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
• 31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
• 4a-LT-9 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性に関する理論解析
• 4a-LT-8 n-InPの高電界電気伝導特性とその高圧力依存性
• 5a-S4-11 半導体における衝突電離過程とカオス
• 29p-P-12 Si酸化物微粒子の赤外吸収II
• 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
• 3p-D-8 半導体電流フィラメントにおけるカオスと分岐現象
• 28pTB-7 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性
• 24aL-10 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造におけるフォトルミネッセンス
• フェリ磁性体の磁気音響共鳴 : 磁性(酸化物)
• 12a-R-5 GaAs及びInPの電界印加フォトルミネッセンス
• 30p-ZE-11 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIV
• Time-Resolved Photoluminescence in GalnP Grown on Misoriented (100) GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
• 2a-YH-6 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
• 2a-YH-5 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIII
• 5p-E-9 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスII
• 5p-E-8 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスI
• 27a-E-19 Si微粒子を使ったSERS II
• 27a-E-18 Si微粒子を用いたSERS I
• 27p-C-3 Si酸化物微粒子の赤外吸収
• 31a-R-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンスとその圧力依存性
• 秩序構造GaInPの時間分解フォトルミネッセンスの圧力依存性
• 3a-X-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
• 5a-F-16 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性II
• 28p-K-3 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
• 13a-DE-15 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性IV
• 1p-N-2 MOVPE成長GaInPのフォルトルミネッセンスの圧力依存性III
• 28a-ZH-16 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
• 1a-BJ-13 電圧印加 CdSe における励起子-電子非弾性衝突
• 24a-G-14 CdSでの電流飽和現象と,その圧力依存性
• 24p-M-8 CaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
• 31a-Z-4 GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
• 1a-Pα-1 GaAsにおける波長選択アバランシェブレークダウン及びその確率過程II
• 2a-NL-5 熱平衡下におけるGaAsのポラリトンルミネッセンス構造の考察
• 2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
• 3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
• 3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
• 27a-Q-6 電子交換を考慮した励起子-電子弾性衝突の断面積の計算
• 27a-Q-5 GaAsにおける励起子衝突電離に関する理論的考察
• 3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移
• 3p-B-15 n-GaAsにおける励起子ポラリトンの偏光相関
• 2p GE-1 電界下におけるGaAsの励起子 : ポラリトン構造
• 5p-LT-19 P型GaAsのMOS構造におけるルミネッセンス
• 3p-DS-22 GaAsにおけるルミネッセンスのエキシトン・ポラリトン構造
• Magnetoacoustic Resonance
• 4p-D-3 光散乱法によるCdS上の弾性表面波の伝搬特性について
• 30p-T-10 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱 II
• 31p-M2-5 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio II(表面・界面)
• 30a-FB-4 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 31p-H-3 半導体超格子デバイスにおける空間電荷転送と電流振動(31pH 半導体(輸送現象))
• 31p-H-5 半導体における衝突電離過程とカオス(II)(31pH 半導体(輸送現象))
• 31p-A10-1 InPにおける光吸収、フォトルミネッセンスの圧力依存性(31p A10 半導体(光物性),半導体)
• 30p-LD-11 高純度GaAsにおける衝突電離過程と電気的非線形応答(半導体)
• 29a-TG-6 SiO_2マトリックスに埋め込んだGe微粒子の光物性(29aTG 表面・界面(超微粒子))
• 24aWE-3 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 29p-H-8 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio(表面・界面)
• 24aWE-1 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク