4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-09-14
著者
関連論文
- 1a-C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトルII
- C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4における光音響スペクトル(一般講演)
- 3p-NM-6 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトル
- P-5 半導体Si微粒子のラマン散乱(ポスター・セッション)
- 11p-E-4 半導体微粒子のラマン散乱 II
- 7p-G-18 Small crystal ZnOの遠赤外吸収によるsurface phonon mode
- 7p-G-17 CsCl微粒子の遠赤外スペクトル
- 5a-Y-4 CsCl単結晶の光スペクトルII 2次ラマン散乱
- 5a-Y-3 CsClの光スペクトル(I) 遠赤外反射スペクトル
- 14p-W-13 スピネル型CdIn_2S_4の格子振動 III
- 3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
- 5p-KD-3 CdIm_2S_4のラマン散乱
- 22a-H-8 CdIn_2S_4の遠赤外反射スペクトル
- 31p GH-2 CdSの音響ドメイン中でのバルク波から表面波へのモードコンバージョン III
- 5a-LT-2 CdSの音響ドメイン中でのバルク波から表面波へのモードコンバージョン II
- 29a-M-10 半導体微粒子のラマン散乱
- D-6 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動(音波物性I)
- 2p-F-10 半導体微粒子のラマン散乱
- 2p-F-9 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動
- 30a-F-12 アモルファスSi:Fのボンド構造III
- 4a-NL-6 アモルファスSi:Fのボンド構造II
- 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
- 2a-NL-10 GaSe_Se混晶のブリルアン散乱 III
- 3-15 マイクロプロセッサ制御ファブリ・ぺロー干渉計を用いた層状半導体のブリルアン散乱(一般講演)
- 4a-B-7 GaSe_S_x混晶のブリルアン散乱II
- 2a-W-26 アモルファスSi:Fのボンド構造
- 14a-S-8 高圧力下における層状半導体GoSe_Sx混晶のラマン散乱に関する研究
- 30a-F-18 パルスレーザーアニールによるSi薄膜の格子膨張
- 30a-F-17 パルスレーザーアニール時の時間分解透過スペクトル
- 4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
- 4a-NL-14 高出力パルスレーザー照射によるアモルファスSOSの結晶転移
- 1p-B-14 パルスレーザーアニールSOSのラマン散乱
- 1p-B-12 半導体のレーザーアニール時における伝導度と反射率
- 27p-B-2 カルコパイライト系CdGa_2S_4結晶の遠赤外反射測定
- 30a-E-10 GaSe_Sx混晶のブリルアン散乱
- 3p-B-17 マイクロコンピュータ制御ファブリペロー干渉計を用いたブリルアン散乱
- 3a GE-6 CdSにおける共鳴ブリルアン散乱
- 3a-DR-3 GaAs微粒子におけるsurface phononとsurface plesmonの相互作用
- 3p-S-6 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱
- 3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
- 31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
- 5a-S4-11 半導体における衝突電離過程とカオス
- 29p-P-12 Si酸化物微粒子の赤外吸収II
- 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
- 3p-D-8 半導体電流フィラメントにおけるカオスと分岐現象
- 2p-S-1 単結晶YIGにおける静磁共鳴 I : 無限平板試料の一般的な分散特性
- 12a-R-2 面に垂直に磁化したYIG diskにおける静磁波の共鳴特性
- 9a-Q-2 微粒子ZnOの遠赤外吸収によるSurface phonon mode II
- 9a-Q-1 CsCl微粒子の遠赤外スペクトルII
- フェリ磁性体の磁気音響共鳴 : 磁性(酸化物)
- 24a-G-15 CdSe単結晶のacoustic instability時のFaraday effectの研究 1
- 12a-H-9 CdS単結晶におけるAcoustic Domainの光変調における光散乱の寄与
- 2p-S-3 単結晶YIGにおける静磁共鳴 III : 円柱状試料(表面被モード)
- 5a-L-2 CdS単結晶におけるVoltage DomainのMicrowave Bridge法による観測
- 27a-E-19 Si微粒子を使ったSERS II
- 27a-E-18 Si微粒子を用いたSERS I
- 2a-K-4 GaAs微粒子の表面フォノンとプラズモンとの相互作用 II
- 3a-K-7 半導体微粒子におけるラマン散乱
- 29p-B-9 半導体微粒子におけるラマン散乱
- 4a-Z-18 GaAs 微粒子の表面波フォノンモードとプラズモンとの相互作用
- 3a-H-12 CdS単結晶発振の温度依存性II
- 14p-K-13 CdS単結晶の負性抵抗に伴う電子緩和現象の空間分布
- 14p-K-12 CdS単結晶の発振の温度依存性
- 27p-C-3 Si酸化物微粒子の赤外吸収
- 1p-BJ-13 磁性半導体 CdIn_2S_4 の光起電力及びエレクトロリフレクタンスの測定
- Single Crystal Growth of CdIn_2S_4
- 4p-D-2 CdS及びCdSeの音響ドメイン中でのバルク波→表面波モードコンバージョン
- 6a-DS-1 表面静磁波の絶対不安定
- 3a-DR-2 hBN微粒子の遠赤外スペクトル
- 5p-LT-14 スピネル半導体CdIn_2S_4のブリリアン散乱
- 1a-AD-8 強磁性体 : 半導体系における表面静磁波の絶対不安定性
- 1a-LD-5 光伝導性 CdS の弾性表面波による音響電気電流の照射光波長依存性
- 1a-BH-2 半導体微粒子における表面波モードと自由電子との相互作用について
- 24a-G-14 CdSでの電流飽和現象と,その圧力依存性
- 2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
- 3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
- 3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
- 4a-M-8 Y.I.Gにおける静磁スピン波(1,0,n)の吸収モード間隔と電力依存性
- 4a-N-4 面に垂直に磁化したYIG DI'SKにおける静磁共鳴吸収
- 10p-L-11 軸方向に温度勾配を有するYIGロッドにおける静磁スピン共鳴の変化
- 5p-H-5 CdS単結晶による電流振動の磁場中効果 III
- 30p-N-4 CdS単結晶の電流振動の磁場中効果 : そのII
- 7a-F-8 CdS単結晶の電流振動の磁場中効果
- 3p-M-2 CdS単結晶中のAcoustic phononによる光散乱効果
- 11a-R-7 CdS上の表面波による横効果音響電気電流の解析
- 4p-D-3 光散乱法によるCdS上の弾性表面波の伝搬特性について
- 7p-W-8 CdS上の表面波によるacousto electric currentの光波長依存性II
- 11a-F-13 CdS上の表面波によるacousto elestric currentの光波長依存性
- 2p-S-2 単結晶YIGにおける静磁共鳴.II : 円盤状試料
- 3a-KG-7 面に垂直に磁化した単結晶YIG円盤状試料における磁気波の不安定現象
- 2a-TC-13 CdS単結晶でのacoustic instability時のmagneto-resistance
- CdS単結晶の電流飽和下での光吸収 1 : 半導体 (acoustic instability)
- 5p-H-3 Photoconductive CdSの電流飽和時におけるBrillouin散乱
- 2a-TC-14 CdS単結晶の電流飽和現象下での光吸収 2
- 9a-G-1 YIGロッドの軸方向内部磁界の測定
- 12a-H-10 CdS単結晶における表面波増巾中の多重phonon mode
- 5p-H-6 CdS単結晶におけるacoustic domain中のphonon fluxによる光変調
- 1p-N-15 CdSのacoustic fluxによる光吸収
- 7a-F-3 CdS中のdomainによるLaser光の変調
- 5a-L-1 CdS単結晶の負性抵抗発生時のelectron trapping levelのT.S.C法による決定