3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aGR-4 メタンハイドレート"filled ice"相の高圧ラマン散乱II(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pGR-2 半導体クラスレートのラットリング振動とそのケージサイズ依存性(21pGR クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
1a-C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトルII
-
C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4における光音響スペクトル(一般講演)
-
3p-NM-6 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトル
-
27p-YD-2 分子固体H_2Sの新しい高圧相
-
28aYD-10 メタンハイドレート"filled ice"相の高圧ラマン散乱(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
-
P-5 半導体Si微粒子のラマン散乱(ポスター・セッション)
-
11p-E-4 半導体微粒子のラマン散乱 II
-
顕微観察および高圧ラマン散乱測定によるガスハイドレートの圧力誘起相転移とケージ占有性の研究
-
23pVE-9 Sc水素化物の高圧ラマン散乱および可視吸収スペクトル(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
28pYG-5 高圧力下における構造I型Ge系クラスレートの粉末X線回折およびラマン散乱(28pYG クラスレート・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aTG-11 構造I型Ga-Ge混晶クラスレートの高圧X線回折およびラマン散乱(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
-
25pYD-7 構造I型スズ・クラスレートRb_8Sn_の高圧ラマン散乱(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
-
28pYG-12 高圧力下におけるXeハイドレートsI相の弾性的性質(28pYG クラスレート・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23aWF-11 圧力媒体Daphne7474の高圧ブリュアン散乱(23aWF ゼオライト・分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22pWF-12 構造I型スズクラスレートCs_8Sn_とRb_8Sn_のラマン散乱(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22pWF-8 構造I型クラスレートI_8Sb_8Ge_の高圧XRDおよびラマン散乱(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
19pXA-3 高圧力下におけるイットリア安定化立方晶ジルコニアの弾性的性質(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
7p-G-18 Small crystal ZnOの遠赤外吸収によるsurface phonon mode
-
7p-G-17 CsCl微粒子の遠赤外スペクトル
-
5a-Y-4 CsCl単結晶の光スペクトルII 2次ラマン散乱
-
5a-Y-3 CsClの光スペクトル(I) 遠赤外反射スペクトル
-
14p-W-13 スピネル型CdIn_2S_4の格子振動 III
-
3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
-
5p-KD-3 CdIm_2S_4のラマン散乱
-
22a-H-8 CdIn_2S_4の遠赤外反射スペクトル
-
31p GH-2 CdSの音響ドメイン中でのバルク波から表面波へのモードコンバージョン III
-
5a-LT-2 CdSの音響ドメイン中でのバルク波から表面波へのモードコンバージョン II
-
29a-M-10 半導体微粒子のラマン散乱
-
D-6 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動(音波物性I)
-
2p-F-10 半導体微粒子のラマン散乱
-
2p-F-9 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動
-
30a-F-12 アモルファスSi:Fのボンド構造III
-
4a-NL-6 アモルファスSi:Fのボンド構造II
-
2a-NL-10 GaSe_Se混晶のブリルアン散乱 III
-
3-15 マイクロプロセッサ制御ファブリ・ぺロー干渉計を用いた層状半導体のブリルアン散乱(一般講演)
-
4a-B-7 GaSe_S_x混晶のブリルアン散乱II
-
2a-W-26 アモルファスSi:Fのボンド構造
-
14a-S-8 高圧力下における層状半導体GoSe_Sx混晶のラマン散乱に関する研究
-
30a-F-18 パルスレーザーアニールによるSi薄膜の格子膨張
-
30a-F-17 パルスレーザーアニール時の時間分解透過スペクトル
-
4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
-
4a-NL-14 高出力パルスレーザー照射によるアモルファスSOSの結晶転移
-
1p-B-14 パルスレーザーアニールSOSのラマン散乱
-
1p-B-12 半導体のレーザーアニール時における伝導度と反射率
-
27p-B-2 カルコパイライト系CdGa_2S_4結晶の遠赤外反射測定
-
30a-E-10 GaSe_Sx混晶のブリルアン散乱
-
3p-B-17 マイクロコンピュータ制御ファブリペロー干渉計を用いたブリルアン散乱
-
3a GE-6 CdSにおける共鳴ブリルアン散乱
-
3a-DR-3 GaAs微粒子におけるsurface phononとsurface plesmonの相互作用
-
2p-S-1 単結晶YIGにおける静磁共鳴 I : 無限平板試料の一般的な分散特性
-
12a-R-2 面に垂直に磁化したYIG diskにおける静磁波の共鳴特性
-
9a-Q-2 微粒子ZnOの遠赤外吸収によるSurface phonon mode II
-
9a-Q-1 CsCl微粒子の遠赤外スペクトルII
-
フェリ磁性体の磁気音響共鳴 : 磁性(酸化物)
-
24a-G-15 CdSe単結晶のacoustic instability時のFaraday effectの研究 1
-
12a-H-9 CdS単結晶におけるAcoustic Domainの光変調における光散乱の寄与
-
2p-S-3 単結晶YIGにおける静磁共鳴 III : 円柱状試料(表面被モード)
-
5a-L-2 CdS単結晶におけるVoltage DomainのMicrowave Bridge法による観測
-
2a-K-4 GaAs微粒子の表面フォノンとプラズモンとの相互作用 II
-
3a-K-7 半導体微粒子におけるラマン散乱
-
29p-B-9 半導体微粒子におけるラマン散乱
-
4a-Z-18 GaAs 微粒子の表面波フォノンモードとプラズモンとの相互作用
-
3a-H-12 CdS単結晶発振の温度依存性II
-
14p-K-13 CdS単結晶の負性抵抗に伴う電子緩和現象の空間分布
-
14p-K-12 CdS単結晶の発振の温度依存性
-
1p-BJ-13 磁性半導体 CdIn_2S_4 の光起電力及びエレクトロリフレクタンスの測定
-
Single Crystal Growth of CdIn_2S_4
-
4p-D-2 CdS及びCdSeの音響ドメイン中でのバルク波→表面波モードコンバージョン
-
6a-DS-1 表面静磁波の絶対不安定
-
3a-DR-2 hBN微粒子の遠赤外スペクトル
-
5p-LT-14 スピネル半導体CdIn_2S_4のブリリアン散乱
-
1a-AD-8 強磁性体 : 半導体系における表面静磁波の絶対不安定性
-
1a-LD-5 光伝導性 CdS の弾性表面波による音響電気電流の照射光波長依存性
-
1a-BH-2 半導体微粒子における表面波モードと自由電子との相互作用について
-
24a-G-14 CdSでの電流飽和現象と,その圧力依存性
-
4a-M-8 Y.I.Gにおける静磁スピン波(1,0,n)の吸収モード間隔と電力依存性
-
4a-N-4 面に垂直に磁化したYIG DI'SKにおける静磁共鳴吸収
-
10p-L-11 軸方向に温度勾配を有するYIGロッドにおける静磁スピン共鳴の変化
-
5p-H-5 CdS単結晶による電流振動の磁場中効果 III
-
30p-N-4 CdS単結晶の電流振動の磁場中効果 : そのII
-
7a-F-8 CdS単結晶の電流振動の磁場中効果
-
3p-M-2 CdS単結晶中のAcoustic phononによる光散乱効果
-
11a-R-7 CdS上の表面波による横効果音響電気電流の解析
-
4p-D-3 光散乱法によるCdS上の弾性表面波の伝搬特性について
-
7p-W-8 CdS上の表面波によるacousto electric currentの光波長依存性II
-
11a-F-13 CdS上の表面波によるacousto elestric currentの光波長依存性
-
2p-S-2 単結晶YIGにおける静磁共鳴.II : 円盤状試料
-
3a-KG-7 面に垂直に磁化した単結晶YIG円盤状試料における磁気波の不安定現象
-
2a-TC-13 CdS単結晶でのacoustic instability時のmagneto-resistance
-
CdS単結晶の電流飽和下での光吸収 1 : 半導体 (acoustic instability)
-
5p-H-3 Photoconductive CdSの電流飽和時におけるBrillouin散乱
-
2a-TC-14 CdS単結晶の電流飽和現象下での光吸収 2
-
9a-G-1 YIGロッドの軸方向内部磁界の測定
-
12a-H-10 CdS単結晶における表面波増巾中の多重phonon mode
-
5p-H-6 CdS単結晶におけるacoustic domain中のphonon fluxによる光変調
-
1p-N-15 CdSのacoustic fluxによる光吸収
-
7a-F-3 CdS中のdomainによるLaser光の変調
-
5a-L-1 CdS単結晶の負性抵抗発生時のelectron trapping levelのT.S.C法による決定
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク