山本 恵一 | 神戸大・工

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著作論文

• 3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
• 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
• 4a-B-7 GaSe_S_x混晶のブリルアン散乱II
• 4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
• 4a-NL-14 高出力パルスレーザー照射によるアモルファスSOSの結晶転移
• 1p-B-14 パルスレーザーアニールSOSのラマン散乱
• 1p-B-12 半導体のレーザーアニール時における伝導度と反射率
• 27p-B-2 カルコパイライト系CdGa_2S_4結晶の遠赤外反射測定
• 3p-B-17 マイクロコンピュータ制御ファブリペロー干渉計を用いたブリルアン散乱
• 3a GE-6 CdSにおける共鳴ブリルアン散乱
• 3p-S-6 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱
• 3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
• 31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
• 5a-S4-11 半導体における衝突電離過程とカオス
• 29p-P-12 Si酸化物微粒子の赤外吸収II
• 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
• 3p-D-8 半導体電流フィラメントにおけるカオスと分岐現象
• 27a-E-19 Si微粒子を使ったSERS II
• 27a-E-18 Si微粒子を用いたSERS I
• 27p-C-3 Si酸化物微粒子の赤外吸収
• 24a-G-14 CdSでの電流飽和現象と,その圧力依存性
• 2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
• 3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
• 3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
• 27a-Q-6 電子交換を考慮した励起子-電子弾性衝突の断面積の計算
• 27a-Q-5 GaAsにおける励起子衝突電離に関する理論的考察
• 3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移
• 3p-B-15 n-GaAsにおける励起子ポラリトンの偏光相関
• 4p-D-3 光散乱法によるCdS上の弾性表面波の伝搬特性について
• 30p-T-10 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱 II
• 31p-M2-5 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio II(表面・界面)
• 31p-H-3 半導体超格子デバイスにおける空間電荷転送と電流振動(31pH 半導体(輸送現象))
• 31p-H-5 半導体における衝突電離過程とカオス(II)(31pH 半導体(輸送現象))
• 31p-A10-1 InPにおける光吸収、フォトルミネッセンスの圧力依存性(31p A10 半導体(光物性),半導体)
• 30p-LD-11 高純度GaAsにおける衝突電離過程と電気的非線形応答(半導体)
• 29a-TG-6 SiO_2マトリックスに埋め込んだGe微粒子の光物性(29aTG 表面・界面(超微粒子))
• 29p-H-8 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio(表面・界面)

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