31p-H-3 半導体超格子デバイスにおける空間電荷転送と電流振動(31pH 半導体(輸送現象))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 3a-KL-14 CdSe単結晶のAcoustic・domainによるブリルアン散乱
- 19pYJ-9 n-GaAsにおいて中性ドナーの衝突電離過程に伴うPL発光強度の異常増強
- 19pYJ-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成
- 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
- 30aTB-6 n-GaAsにおいて浅い不純物ドナーの衝突電離過程が引き起こすチューリング分岐
- 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
- 22aL-7 コルビノ電極を形成したGaAsにおける電流フィラメントの初期パターン形成
- 25pD-10 高電場下AlGaAs/GaAs界面の二次元電子ガスからの発光II
- 26a-YE-9 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスII
- 26a-YE-8 衝突電離によって誘起された電流フィラメントの磁気抵抗効果
- 2a-YJ-8 n-GaAsにおける電流フィラメントの緩和過程
- 2a-YJ-7 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスI
- 31a-Q-9 アンチドット格子における磁気抵抗構造の起源
- 5p-A-4 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定IV
- 31a-S-3 GaAs 中電流フィラメントのパターン形成と不安定性III
- 31a-S-2 アンチドットLSSLの磁気抵抗ピークとビリヤード散乱過程
- アンチドットLSSLの磁気抵抗効果III
- 1p-F-9 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定性I
- 30p-X-9 アンチドットLSSLの磁気抵抗効果II
- 14a-K-3 衝突電離カオスにおける フラクタル・ベイスン境界 I
- 29a-PS-39 ダイオードを用いた結合電気回路のカオスとスイッチング現象
- 30a-M-7 Scholl モデルによる中性不純物衝突電離カオスの考察
- 27p-PS-96 半導体のS字形I-V特性における間欠的カオスのエネルギー散逸
- 27a-W-5 GaAsにおける衝突電離アバランシェのself-organized critical state II
- 27a-W-4 GaAsにおける衝突電離アバランシェのself-organized critical state I
- 28a-T-5 半導体のS字形電流・電圧特性における駆動カオス : 実験からの側面
- 30a-C-13 GaAsにおける磁場中衝突電離過程とカオス : そのフラクタル構造
- 30a-C-8 半導体における非線形電気伝導のカオス的描像
- 27a-M-1 GaAsにおける磁場中衝突電離過程とカオス
- 4a-E-2 電流フィラメントにおよぼす磁場効果とクロスオーバー不安定性
- 4a-E-1 半導体電流フィラメントのクロスオーバー不安定性とカオス
- 31a-Y-13 半導体における衝突電離過程とカオスIV
- 31a-Y-12 高純度GaAsにおける電流フィラメントの空間パターン
- 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
- 4a-B-7 GaSe_S_x混晶のブリルアン散乱II
- 4a-NL-15 イオン注入シリコンの低温パルスレーザーアニーリング
- 4a-NL-14 高出力パルスレーザー照射によるアモルファスSOSの結晶転移
- 1p-B-14 パルスレーザーアニールSOSのラマン散乱
- 1p-B-12 半導体のレーザーアニール時における伝導度と反射率
- 27p-B-2 カルコパイライト系CdGa_2S_4結晶の遠赤外反射測定
- 3p-B-17 マイクロコンピュータ制御ファブリペロー干渉計を用いたブリルアン散乱
- 3a GE-6 CdSにおける共鳴ブリルアン散乱
- 3p-S-6 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱
- 3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
- 31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
- 5a-S4-11 半導体における衝突電離過程とカオス
- 8. Firing Wave Instability and Chaos of Current Filaments in Semiconductor
- 29p-P-12 Si酸化物微粒子の赤外吸収II
- 29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
- 3p-D-8 半導体電流フィラメントにおけるカオスと分岐現象
- 27a-E-19 Si微粒子を使ったSERS II
- 27a-E-18 Si微粒子を用いたSERS I
- 27p-C-3 Si酸化物微粒子の赤外吸収
- HyperonのNon-leptonic decayの構造(弱い相互作用の中間子論の諸問題についての研究会)
- 24a-G-14 CdSでの電流飽和現象と,その圧力依存性
- 10p-H-4 非線形微差分方程式の完全可積分性
- 7a-F-5 非線形非可逆回路方程式の逆散乱法による解
- 2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
- 3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
- 3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
- 27a-Q-6 電子交換を考慮した励起子-電子弾性衝突の断面積の計算
- 27a-Q-5 GaAsにおける励起子衝突電離に関する理論的考察
- 3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移
- 3p-B-15 n-GaAsにおける励起子ポラリトンの偏光相関
- 5a-Y-5 可変境界値のもとでのソリトンの伝播
- 4p-D-3 光散乱法によるCdS上の弾性表面波の伝搬特性について
- 30a-QC-7 結合振動子のカオスとセルオートマトン
- 29p-QB-3 半導体カオスの分岐現象
- KdV solitonのLamb図 (非線形分散系とソリトン研究会報告)
- 3a-KQ-10 KdV方程式のsoliton解を求める各種の解法
- 30p-T-10 WO_3微粒子の相転移 : ラマン散乱 II
- 28p-JE-14 半導体素子におけるカオスと分岐過程(統計力学・物性基礎論)
- 31p-M2-5 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio II(表面・界面)
- 31p-H-3 半導体超格子デバイスにおける空間電荷転送と電流振動(31pH 半導体(輸送現象))
- 31p-H-5 半導体における衝突電離過程とカオス(II)(31pH 半導体(輸送現象))
- 31p-A10-1 InPにおける光吸収、フォトルミネッセンスの圧力依存性(31p A10 半導体(光物性),半導体)
- 30p-LD-11 高純度GaAsにおける衝突電離過程と電気的非線形応答(半導体)
- 29a-TG-6 SiO_2マトリックスに埋め込んだGe微粒子の光物性(29aTG 表面・界面(超微粒子))
- 29p-H-8 Ge微粒子のラマン散乱 : Depolarization Ratio(表面・界面)