3p-DS-22 GaAsにおけるルミネッセンスのエキシトン・ポラリトン構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1978-09-11
著者
関連論文
- 1a-C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトルII
- C-3 三元化合物半導体CdIn_2S_4における光音響スペクトル(一般講演)
- 3p-NM-6 三元化合物半導体CdIn_2S_4の光音響スペクトル
- 27p-C-5 SiGe微粒子膜のラマン散乱
- 4a-S-11 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合III
- 2a-A-18 グロー放電で得られたSi微粒子物性
- 2a-A-17 半導体微粒子のラマン散乱 : Ge微粒子の場合
- 2a-A-16 半導体微粒子のラマン散乱 : Si微粒子の場合
- 2p-KP-9 半導体微粒子のラマン散乱III
- P-5 半導体Si微粒子のラマン散乱(ポスター・セッション)
- 11p-E-4 半導体微粒子のラマン散乱 II
- 1p-Y-12 長距離伝搬表面モードを用いたラマン散乱の増強
- 27a-Z-13 SiO_2-Ag薄膜の長距離伝搬表面モード
- 29a-YN-12 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの励起
- 29p-YN-11 Ag微粒子を介したAlの表面プラズモンの輻射
- 3p-G-2 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用II
- 28p-J-11 Alの表面プラズモンとAg微粒子の相互作用
- 15a-DJ-3 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
- 13p-DC-16 ガス中蒸発MoO_3微粒子のラマン散乱
- 13p-DC-10 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光とラマン散乱
- 29p-PSB-31 Ag-SiO_2混合膜のATR分光
- 30p-Q-3 SiO_2-C同時スパッタ膜の発光 (II)
- 27p-PSA-39 ガス中蒸発Si微粒子の赤外吸収 : 水素の効果
- 2p-F-17 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
- 7p-G-18 Small crystal ZnOの遠赤外吸収によるsurface phonon mode
- 7p-G-17 CsCl微粒子の遠赤外スペクトル
- 5a-Y-4 CsCl単結晶の光スペクトルII 2次ラマン散乱
- 5a-Y-3 CsClの光スペクトル(I) 遠赤外反射スペクトル
- 14p-W-13 スピネル型CdIn_2S_4の格子振動 III
- 5p-KD-3 CdIm_2S_4のラマン散乱
- 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
- 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
- 31a-YJ-4 Si及びGeナノ結晶からのエネルギー移動によるEr^の発光
- 4p-M-5 静水圧下におけるn-InPの高電界電気特性
- 5a-LT-2 CdSの音響ドメイン中でのバルク波から表面波へのモードコンバージョン II
- 28a-YL-4 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導 II
- 2a-J-7 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 28p-G-7 Si-rich SiO_2膜の電気伝導
- 31p-N-9 CdS超微粒子の発光 II
- 31a-L-1 擬2次元Au微粒子膜における磁気抵抗
- 30a-G-10 Si自然酸化膜上に作成したAu微粒子膜の電気伝導
- 29a-M-10 半導体微粒子のラマン散乱
- D-6 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動(音波物性I)
- 2p-F-10 半導体微粒子のラマン散乱
- 2p-F-9 三元化合物半導体CdGa_2S_4の格子振動
- 30a-F-12 アモルファスSi:Fのボンド構造III
- 4a-NL-6 アモルファスSi:Fのボンド構造II
- 2a-NL-10 GaSe_Se混晶のブリルアン散乱 III
- 2a-W-26 アモルファスSi:Fのボンド構造
- 14a-S-8 高圧力下における層状半導体GoSe_Sx混晶のラマン散乱に関する研究
- 30a-F-18 パルスレーザーアニールによるSi薄膜の格子膨張
- 30a-F-17 パルスレーザーアニール時の時間分解透過スペクトル
- 4p-B-17 半導体のレーザアニール時の光伝導とルミネッセンス
- 3a-DR-3 GaAs微粒子におけるsurface phononとsurface plesmonの相互作用
- 24a-W-4 Ge微粒子を埋め込んだSiO_2膜の赤外吸収:偏光特性
- 4a-LT-9 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性に関する理論解析
- 8. Firing Wave Instability and Chaos of Current Filaments in Semiconductor
- 半導体におけるカオス現象
- 1p-Y-11 Si-rich SiO_2膜の可視発光 : 高温アニールの効果
- 27a-Z-10 SiO_2マトリックス中に埋め込まれたIV族元素メゾスコピック粒子の共鳴ラマン散乱
- 28p-YA-1 不純物をドープしたSi微粒子の作製とそのラマンスペクトル
- 29a-YN-7 SiO_2中のSi超微粒子の光吸収
- 13p-DC-11 Si-rich SiO_2膜のラマン散乱 : Siクラスターのラマンスペクトル
- 30p-Q-2 SiO_2-Ge混合膜の赤外吸収
- 24a-PS-6 表面プラズモン励起による光電変換効率の増強II : Organic Solar Cellの場合
- 9a-Q-2 微粒子ZnOの遠赤外吸収によるSurface phonon mode II
- 9a-Q-1 CsCl微粒子の遠赤外スペクトルII
- 25p-ZE-9 SiO_2-Si混合膜のラマン散乱と発光
- 27a-F-1 Ge超微粒子を埋め込んだSiO_2薄膜のフォトルミネッセンス
- 12a-H-9 CdS単結晶におけるAcoustic Domainの光変調における光散乱の寄与
- 2a-A-5 GaAsにおける励起子-中性不純物散乱
- 5a-L-2 CdS単結晶におけるVoltage DomainのMicrowave Bridge法による観測
- 12a-R-5 GaAs及びInPの電界印加フォトルミネッセンス
- 27a-D-6 非金属表面上でのSERS
- 2a-K-4 GaAs微粒子の表面フォノンとプラズモンとの相互作用 II
- 3a-K-7 半導体微粒子におけるラマン散乱
- 29p-B-9 半導体微粒子におけるラマン散乱
- 4a-Z-18 GaAs 微粒子の表面波フォノンモードとプラズモンとの相互作用
- 25p-ZE-8 SiO_2中に埋め込まれたGe超微粒子の吸収係数
- 29p-H-1 Al_2O_3マトリックスに埋め込んだGe微粒子のラマン散乱II
- 3a-H-12 CdS単結晶発振の温度依存性II
- 14p-K-13 CdS単結晶の負性抵抗に伴う電子緩和現象の空間分布
- 14p-K-12 CdS単結晶の発振の温度依存性
- 4p-B4-14 Si微粒子の酸化 : 光電子分光と赤外分光
- 1a-J-6 Ag超微粒子を埋め込んだSiO_2薄膜の電気伝導
- 1a-F-4 Si, Ge超微粒子を埋め込んだSiO_2薄膜の電気伝導
- 29p-PSB-7 SiO_2中に埋め込まれたSiC微粒子の光物性
- 29p-PSB-3 ガス中蒸発炭素微粒子の光物性
- 29p-H-2 SiO_2中マトリックス中に埋め込まれたCdS,CdSe超微粒子のラマン散乱
- 1a-BJ-13 電圧印加 CdSe における励起子-電子非弾性衝突
- 3a-DR-2 hBN微粒子の遠赤外スペクトル
- 5p-LT-14 スピネル半導体CdIn_2S_4のブリリアン散乱
- 1a-BH-2 半導体微粒子における表面波モードと自由電子との相互作用について
- 1a-Pα-1 GaAsにおける波長選択アバランシェブレークダウン及びその確率過程II
- 2a-NL-5 熱平衡下におけるGaAsのポラリトンルミネッセンス構造の考察
- 2p GE-1 電界下におけるGaAsの励起子 : ポラリトン構造
- 27a-F-4 金属超微粒子-SiO_2サーメット膜のトンネル電流励起による発光
- 29p-BPS-3 SiO_2-Agサーメット膜の発光
- 5a-PS-47 表面プラズモン励起による光電変換効率の増強 : MOMトンネル接合の場合
- 4a-PS-1 固体マトリックス中のGe微粒子 : マトリックスの効果