26a-G-14 高濃度ドープGaAsの光吸収の圧力依存性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2p-F-17 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
-
31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
-
31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
-
4p-M-5 静水圧下におけるn-InPの高電界電気特性
-
19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23aXJ-3 ボロンをイオン打ち込みしたシリコンの近赤外発光と圧力効果(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28pYF-12 高圧力下のGaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(量子井戸・超格子)(領域4)
-
4a-A2-6 高圧力下におけるInPの光吸収
-
26a-G-14 高濃度ドープGaAsの光吸収の圧力依存性
-
30a-Y-2 GaSbの光吸収の圧力依存症II
-
28pTB-5 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造における短波長発光
-
3p-B-12 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
-
31a GD-7 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性
-
4a-LT-9 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性に関する理論解析
-
4a-LT-8 n-InPの高電界電気伝導特性とその高圧力依存性
-
29a-B-10 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果 II
-
28pTB-7 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性
-
24aL-10 GaAs/秩序構造GaInP量子井戸構造におけるフォトルミネッセンス
-
フェリ磁性体の磁気音響共鳴 : 磁性(酸化物)
-
12a-R-5 GaAs及びInPの電界印加フォトルミネッセンス
-
30p-ZE-11 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIV
-
Time-Resolved Photoluminescence in GalnP Grown on Misoriented (100) GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
-
2a-YH-6 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
-
2a-YH-5 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスIII
-
5p-E-9 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスII
-
5p-E-8 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造におけるフォトルミネッセンスI
-
31a-R-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンスとその圧力依存性
-
秩序構造GaInPの時間分解フォトルミネッセンスの圧力依存性
-
3a-X-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス
-
5a-F-16 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性II
-
28p-K-3 MOVPE成長AlGaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
-
13a-DE-15 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性IV
-
1p-N-2 MOVPE成長GaInPのフォルトルミネッセンスの圧力依存性III
-
28a-ZH-16 MOVPE成長GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
-
1a-BJ-13 電圧印加 CdSe における励起子-電子非弾性衝突
-
24p-M-8 CaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性 II
-
31a-Z-4 GaInPのフォトルミネッセンスの圧力依存性
-
1a-Pα-1 GaAsにおける波長選択アバランシェブレークダウン及びその確率過程II
-
2a-NL-5 熱平衡下におけるGaAsのポラリトンルミネッセンス構造の考察
-
2a-K-7 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス II
-
3p-B-8 GaAsにおける励起子衝突電離及び光電流振動
-
3a-B-11 高圧力下のInPの透過特性
-
27a-Q-6 電子交換を考慮した励起子-電子弾性衝突の断面積の計算
-
27a-Q-5 GaAsにおける励起子衝突電離に関する理論的考察
-
3p-B-16 励起子ポラリトンのホットエレクトロンによる励起状態への遷移
-
3p-B-15 n-GaAsにおける励起子ポラリトンの偏光相関
-
2p GE-1 電界下におけるGaAsの励起子 : ポラリトン構造
-
5p-LT-19 P型GaAsのMOS構造におけるルミネッセンス
-
3p-DS-22 GaAsにおけるルミネッセンスのエキシトン・ポラリトン構造
-
Magnetoacoustic Resonance
-
30a-FB-4 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
-
24aWE-3 高圧力下のGaInP/AlGaInP量子井戸レーザー構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
28a-H-2 GaSbの光吸収の圧力依存性(28aH 半導体(光物性・層状物質))
-
24aWE-1 GaAs/秩序構造GaInPヘテロ構造における発光特性(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク