Siナノ結晶の近赤外発光
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概要
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粒径が2.7〜5.5nmのSiナノ結晶を作製し,その発光について研究を行った.室温では近赤外領域(1.4〜1.5eV)にのみ発光が観測された.発光ピークは粒子サイズの減少に伴い,高エネルギーシフトし強度が急激に増加した.また,発光ピークは温度の低下とともに高エネルギーシフトした.温度変化に伴うピークシフトの割合はバルク結晶Siのバンドギャップの変化と非常によく一致した.これらのことより,室温で見られた近赤外領域の発光の起源はSiナノ結晶中での電子-正孔の再結合であると考えることができる.低温(150K以下)では低エネルギー側(0.9eV)にも新たに発光が観測された.発光ピークは1.5eV付近の発光ほど強いサイズ依存性を示さなかった.低エネルギー側の発光は,Siナノ結晶とSiO_2マトリックスの界面に存在する,欠陥による深い準位が関与していると考えている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
-
藤井 稔
神戸大学大学院工学研究科
-
山本 恵一
神戸大自然科:神戸大工
-
山本 恵一
神戸大学工学部電気電子工学科
-
藤井 稔
神戸大院工
-
神澤 好彦
神戸大自然科
-
竹岡 慎治
神戸大学大学院自然科学研究科
-
林 真至
神戸大学大学院自然科学研究科
-
竹岡 慎治
神戸大自然科
-
林 真至
神戸大学大学院工学研究科
-
Fujii Masatoshi
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Tokyo Metropolitan University
-
神澤 好彦
神戸大学大学院自然科学研究科
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