ホットウォール法によって製作したPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
-
量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
赤外線半導体レーザの最近の動向
-
長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
-
HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
-
長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
-
HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
-
長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
-
HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
-
波長2μm以上の半導体レーザとその応用
-
IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
-
CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
-
HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
-
HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
-
ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
-
30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
-
C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
-
青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
-
青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
-
青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
反応性蒸着過程におけるるつぼ中の金属Mnの酸化克服法
-
C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
-
C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
-
C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
-
9)アバランシェ増幅型センサの動作モード(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
-
反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
-
Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
-
反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
-
反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
-
反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
-
ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
-
ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
-
石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
1a-Pβ-29 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子のシュブニコフ・ドハース効果
-
HWE法成長PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
-
ホットウォール法によって製作したPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子
-
ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク