30p-K-12 PbTe-Pb_<1-x>Sn_xTe超格子の光学的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
藤安 洋
静大工
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
木下 治久
静大工
-
石田 明広
静大工
-
桑原 弘
静大工短
-
木下 治久
静大電子科研
関連論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 2p-X-17 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性(III)
- 1p-F-4 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Te超格子の作製と光物性 (II)
- 1p-F-3 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性 (I)
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- IV-VI族化合物半導体薄膜と赤外レーザへの応用
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- 窒化物ナノ蛍光体による新規紫外発光デバイスの研究
- エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノテク・材料と赤外線
- 材料・光学部品 (1)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 赤外線半導体レーザの最近の動向
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
- IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
- 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
- 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
- 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
- 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- ZnTeへのMn拡散によるzb-MnTeの生成(Sb照射効果) : 気相成長I
- ホットウォール法によるCdTe,ZnTeの原子層成長 : 気相成長I
- Sb照射下で成長させたMnSi/Si薄膜のTEMによる評価 : 気相成長I
- 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製
- 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
- 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
- CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
- Hot Wall法によるEL素子用薄膜の成長と評価
- ZnS:Tm,F薄膜の電荷補償 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- ZnS:Tm薄膜ELの電荷補償と発光特性
- 5a-F-8 ZnTe/CdSe超格子のラマン散乱
- 1p-N-6 ZnTe/ZnSeヘテロエピタキシャル膜における多重LOフォノンの線の振舞い
- 26a-ZH-20 ZnTe/ZnSe歪超格子におけるLOフォノンラマン線の偏光選択則の破れ
- 28p-W-14 ZnSe-ZnTe歪超格子における界面モード
- 多元蒸着法により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性
- HWE法成長PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
- 30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
- C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
- Characterizations of ZnS-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
- 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
- 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
- 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
- 28a-A-10 ZnTe-ZnSe超格子の共鳴ラマン散乱
- ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
- 5a-C3-9 ZnTe-ZnSe超格子の発光特性
- 29a-D-3 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のピコ秒分光
- 28p-F-9 Zn_Cd_xSe-ZnSe超格子の励起子発光
- X線回折によるPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子中のSn拡散の評価と低拡散HWE成長法
- 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
- ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
- IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
- 4-6族長波長半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
- 27p-A-8 II-VI族半導体超格子
- C-6-11 反応性蒸着中のMn蒸発性の酸化防止法
- 1a-Pβ-29 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子のシュブニコフ・ドハース効果
- HWE法成長PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
- ホットウォール法によって製作したPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子
- 2p-C-13 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のダイナミクス(イオン結晶・光物性)
- 28p-LD-12 PbTe/Pb_Sn_xTe超格子のサブバンド構造(半導体)
- 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
- 30p-J-4 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したII-VI族半導体薄膜の光物性I(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
- 30a-FC-5 ZnS-ZnTe超格子のフォノン(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29p-FC-3 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の強磁場輸送現象(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))