ホットウォール法によるCdTe,ZnTeの原子層成長 : 気相成長I
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概要
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We investigated the atomic layer growth of CdTe and ZnTe by Hot-wall epitaxy. Resuled growth rate shows the existence of plateau of 0.5 monolayer/cycle in the substrate temperature range between 260 and 320℃ for CdTe, between 240 and 280℃ for ZnTe.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静大工
-
桑原 弘
静大工
-
牧野 吉孝
静大工
-
海野 晶裕
静大工
-
中西 洋一郎
静大電子研
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