青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
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概要
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電子ビーム蒸着法を用いてCaS:Cu, F薄膜を作製し, アニールを行った。750℃以上のアニールによって[110]配向した膜が得られ, その結晶性はアニール温度の上昇とともに向上した。アニールにより薄膜は435から450nmにかけての青色の発光と長波長側のブロードな発光を示し, 750℃以上のアニールにより, 435nmにピークを持つ青色の発光が支配的となった。また, 時間分解発光スペクトル測定の結果からCaS:Cu, F薄膜の発光機構も蛍光体と同様D-Aペア発光ではなく, Cu+イオン内の電子遷移によることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-18
著者
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
-
畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
川角 明人
静岡大学 電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学 電子科学研究科
-
桑原 弘
静岡大学 電子科学研究科
-
川角 明人
静岡大学電子工学研究所
-
桑原 弘
静岡大学電子科学研究科
-
立岡 浩一
静岡大学電子工学研究所
-
中川 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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