2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
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概要
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The photocurrent multiplication of Si : H/a-SiC : H staircase photodiodes with graded-gap multiplication region has been observed. The threshold voltage of photocurrent multiplication was changed by the conductionband offset of the graded-gap band structure. As the band offset becomes larger, the threshold voltage of photocurrent multiplication becomes low. But when the conductionband offset is larger than 0.4eV, the quality of the films is deteriorated, and the threshold voltage of photocurrent multiplication increases. It was found that avalanche multiplication of the photodiodes was influenced by the conductionband offset of the graded-gap super lattice and the quality of the films.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-07-29
著者
-
奥村 佳弘
ミノルタ株式会社研究開発本部
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
安藤 隆男
静岡大学
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
奥村 佳弘
静岡大学電子工学研究所
-
真鍋 洋明
静岡大学電子工学研究所
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