澤田 和明 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 澤田 和明

  静岡大学電子工学研究所

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所

• 安藤 隆男

  静岡大学

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会

• 真鍋 洋明

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 安藤 隆男

  財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部

• 松村 暢久

  静岡大学電子工学研究所

• 松村 暢久

  静岡大学 電子工学研究所

• 赤田 信哉

  静岡大学電子工学研究所

• 赤田 信哉

  静岡大

• 増田 剛

  静岡大学 電子工学研究所

• 増田 剛

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 山崎 順一

  NHK放送技術局

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• 片山 功

  静岡大

• 鈴木 勝実

  静岡大学電子工学研究所

• 今田 武史

  静岡大学電子工学研究所

• 今田 武史

  静岡大学 電子工学研究所

• 吉 坤

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大

• 小杉 美津男

  NHK放送技術研究所

• 山崎 順一

  Nhk 放送技術研究所

• 水谷 友一

  静岡大学電子工学研究所

• 木下 治久

  静岡大学電子工学研究所

• 福井 一貴

  静岡大

• 片山 功

  静岡大学電子工学研究所

• 安田 実

  静岡大学電子工学研究所

• 望月 千弘

  静岡大学電子工学研究所

• 木下 正邦

  静岡大

• 福井 一貴

  静岡大学電子工学研究所

• 木下 正邦

  静岡大学電子工学研究所

• 瀧口 吉郎

  NHK放送技術研究所

• 大竹 浩

  NHK放送技術研究所

• 谷岡 健吉

  NHK放送技術研究所

• 阿部 正英

  NHK放送技術研究所

• 佐藤 史郎

  NHK放送技術研究所

• 奥村 佳弘

  ミノルタ株式会社研究開発本部

• 小林 昭

  浜松ホトニクス株式会社

• 増田 敏

  静岡大学電子工学研究所

• 阿部 正英

  広島国際大学社会環境科学部

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 小杉 美津男

  NHK福岡放送局

• 辻 和隆

  (株)日立製作所 日立研究所

• 辻 和隆

  日立

• 並木 貴之

  理科大

• 並木 貴之

  東京理科大学理学部

• 平野 善之

  NHK放送技術研究所

• 織原 弘三

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 菰淵 寛仁

  松下電器産業(株)

• 奥村 佳弘

  静岡大学電子工学研究所

• 辻 和隆

  株式会社日立製作所中央研究所

• 宮川 良平

  株式会社東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 菰淵 寛仁

  松下電器産業株式会社中央研究所

• 尾関 芳孝

  静岡大学電子工学研究所

• 黄 忠守

  静岡大学電子工学研究所

• 織原 弘三

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 小林 昭

  浜松ホトニクス

• 佐藤 賢司

  静岡大学電子工学研究所

• 宮川 良平

  株式会社東芝ulsi研究所

• 半戸 琢也

  静岡大学電子工学研究所

• 高橋 遵

  静岡大学電子工学研究所

• Jayatissa A.H.

  静岡大学電子工学研究所

• 大隅 淑弘

  岡山大学総合情報基盤センター

• 大隅 淑弘

  静岡大学電子工学研究所

• 片山 功

  静岡大学大学院工学研究科

• 黄 忠守

  浜松ホトニクス(株)

• 山本 康二

  静岡大学電子工学研究所

• 三ッ林 武

  静岡大学電子工学研究所

• 竹内 寿典

  静岡大学電子工学研究所

• 趙 明剛

  静岡大学電子工学研究所

• 大津 禎仁

  静岡大

• 大津 禎仁

  静岡大学電子工学研究所

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著作論文

• Au/p型a-SiC : H/a-Si : H/n型c-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型c-Si不純物濃度依存性
• 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
• MOSFETのサブ閾値領域の特性を利用した対数的光電変換素子(論文固体撮像技術)
• MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子 : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
• オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用
• 10-7 勾配法によるオプティカルフロー検出一手法
• 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
• 2-1 電界放出型光検出素子の広ダイナミックレンジ化
• 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
• 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
• 集積型EL素子の作製と発光特性
• 1.情報入力(テレビジョン年報)
• 22-2 a-Si_3N_4膜をブロッキング層としたSAM型a-Si : H薄膜フォトダイオード
• a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型 : フォトダイオードの光電流増倍
• 1-9 a-Si : H, a-SiC : H埋め込みp-i-nフォトダイオードのセンサ特性
• 4-1 集積型薄膜EL素子の作製
• Si基板上のEL素子の集積化
• 5-4 アモルファスシリコン光導電膜の光電流増倍
• 2-4 a-Si : H p-i-n(SI sub.)アバランシェフォトダイオードの光電流増倍および暗電流発生機構の検討
• 2-3 a-Si傾斜超格子フォトダイオードの光電流特性
• 2-2 電界放出型微小エミッタを用いた高感度光電面の製作
• a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
• 5-2 a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
• 18-10 CCDとNOR回路を用いたエッジ検出
• a-Si : Hアバランシェpinフォトダイオードにおける光電流増倍の温度依存性
• pn接合を有するフィールドエミッタの光応答
• 5-3 アバランシェフォトダイオード(APD)を使用した撮像素子の画素構成
• 5-1 電界放出型微小エミッタを用いた光検出
• ゲート構造を有するクレータ型電界放出エミッタの電子放出特性
• アモルファスシリコンpinフォトダイオードの高電界特性 : 情報入力,情報ディスプレイ
• 28-10 SOI基板を用いたフィールドエミッタのマトリックス構造の製作
• 28-7 a-Si : H pinフォトダイオードの光電流増倍
• 画像輪郭の極性とその動き検出素子 : 回路モデルの検討 : 情報入力 : 情報ディスプレイ : コンシューマエレクトロニクス
• クレータ型高電流密度シリコンフールドエミッタの検討 : 撮像デバイス技術および一般 : 情報入力
• 18-11 輪郭とその動きの検出に関する電子回路モデル
• 17-1 a-Si : H/a-SiC : H傾斜超格子構造フォトダイオードの光電流特性
• 16-1 電界放出型フィールドエミッタ形状の検討
• アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作 : 画像変換技術関連 : 情報入力 : 情報ディスプレイ
• アバランシェフォトダイオードの電荷蓄積動作

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