a-Si : Hアバランシェpinフォトダイオードにおける光電流増倍の温度依存性
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概要
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The photocurrent multiplication has been observed in a-Si : H pin photodiode films. We have experimented to temperature dependence of the photocurrent and the dark current in this photodiode by changing temperatures from 133K to 323K. We have found two dominant dark current components. The one is the thermal generation at crystal silicon/a-Si interface and the other is tunneling in i-a-Si : H. It has been found that the photocurrent avalanche multiplication in strongly affected with the geminate-recombination phenomena.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-12-19
著者
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