1-9 a-Si : H, a-SiC : H埋め込みp-i-nフォトダイオードのセンサ特性
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概要
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In this paper, a-Si buried p-i-n photodiodes were investigated. Darkcurrent was reduced using an a-SiC : H as blocking layer located on the electrode. The quantum efficiency of the fabricated photodiode was about 5,and inprovement of the sensitivity in short wavelength region was remarkable.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-07-28
著者
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
片山 功
静岡大
-
黄 忠守
静岡大学電子工学研究所
-
大隅 淑弘
岡山大学総合情報基盤センター
-
大隅 淑弘
静岡大学電子工学研究所
-
片山 功
静岡大学大学院工学研究科
-
黄 忠守
浜松ホトニクス(株)
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