2-1 電界放出型光検出素子の広ダイナミックレンジ化
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概要
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The back illumination type photosensitive field emitter was fabricated by depositing p-type a-SiC : H/intrinsic a-Si : H photodiode on the back surface of non-gated n-type cone-shaped Si emitters by using plasma CVD methode. The emission current correspnding with illumination intensity was observed and the quantum efficiency of about 0.7 was obtained at λ=680nm. However, the emission current has tendency to be saturated at high illumination level. To expand the dynamic range of the photodetector, the photosensitive field emitter composed of gated field emitter and p-type a-SiC : H/intrinsic a-Si : H photodiode film was demonstrated.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-07-29
著者
-
増田 剛
静岡大学 電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
増田 剛
静岡大学電子工学研究所
-
松村 暢久
静岡大学電子工学研究所
-
松村 暢久
静岡大学 電子工学研究所
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