2-1 低電圧駆動の高利得a-Si : H光センサ
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概要
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A novel a-Si : H photodetector constructed of buried p^+-i-n^+ diode was presented. Gain of photocurrent of 10〜100 times can be obtained from this sensor under bias voltages of 10V〜20V. The multiplication of photocurrent is interpreted as resulting from avalanche which occurs inside the depleted buried p^+-i-n^+ region. The principal consideration how to design this photodetector was given.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-07-28
著者
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
片山 功
静岡大
-
ハワン ゾン
浜松ホトニクス(株)
-
片山 功
静岡大学電子工学研究所
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