a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型 : フォトダイオードの光電流増倍
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概要
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A a-Si/a-SiC : H heterojunction SAM type photodiode was fabricated by plasma enhanced CVD. The photomultiplication was recognized and the quantum efficiency exceeded 20 on this photodiode. An injection carrier type and a multiplication layer thickness dependences were made to clarify the mechanism of photocarrier multiplication. The results of these experiments in dicated the possibility of avalanche multiplications of a a-Si/a-SiC : H SAM photodiode.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-11-26
著者
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
片山 功
静岡大
-
片山 功
静岡大学電子工学研究所
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